[發明專利]工藝控制方法、裝置、系統及存儲介質有效
| 申請號: | 202010001375.5 | 申請日: | 2020-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN111223799B | 公開(公告)日: | 2022-12-20 |
| 發明(設計)人: | 王璠 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 鈄颯颯;臧建明 |
| 地址: | 430078 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 工藝 控制 方法 裝置 系統 存儲 介質 | ||
1.一種工藝控制方法,其特征在于,包括:
獲取傳感器的原始數據;
對所述原始數據在時域和頻域上分別進行特征提取,得到特征數據,其中,所述特征數據包括時域上的特征數據和頻域上的特征數據;
對所述特征數據進行切片處理,得到第二特征數據,所述第二特征數據包括時間片特征數據和頻率片特征數據;
對所述第二特征數據和檢測設備的量測數據進行相關性分析,得到目標數據;
將所述目標數據輸入錯誤檢測及分類FDC系統,以使得通過所述FDC系統輸出控制策略;
根據所述控制策略,進行機臺的工藝控制;
將所述目標數據輸入錯誤檢測及分類FDC系統,以使得通過所述FDC系統輸出控制策略,包括:
根據所述目標數據,確定錯誤類型;
從大數據平臺獲取所述錯誤類型對應的歷史報警信息,以及所述歷史報警信息對應的處理策略記錄;
根據所述處理策略記錄,輸出所述控制策略。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述獲取傳感器的原始數據,包括:
按照預設的采樣率,獲取監測機臺狀態的各個傳感器的原始數據,其中,所述原始數據包括:微秒級數據,和/或毫秒級數據。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,還包括:
將所述原始數據和所述特征數據存儲在關系數據庫中,或者大數據平臺。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,對所述特征數據進行切片處理,得到第二特征數據,包括:
對時域上的特征數據進行切片處理,得到時間片特征數據;
對頻域上的特征數據進行切片處理,得到頻率片特征數據。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,對所述第二特征數據和檢測設備的量測數據進行相關性分析,得到目標數據,包括:
將所述時間片特征數據、所述頻率片特征數據與所述檢測設備的量測數據進行相關性分析,得到所述目標數據;其中,所述檢測設備用于檢測在線生產過程中的工藝數據。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的方法,其特征在于,對所述第二特征數據和檢測設備的量測數據進行相關性分析,得到目標數據,包括:
通過多元線性回歸,或者決策樹回歸方式,分析所述第二特征數據與所述檢測設備的量測數據的相關性;
濾除相關性低于預設閾值的特征數據,得到所述目標數據。
7.一種工藝控制裝置,其特征在于,包括:
獲取模塊,用于獲取傳感器的原始數據;
提取模塊,用于對所述原始數據在時域和頻域上分別進行特征提取,得到特征數據,其中,所述特征數據包括時域上的特征數據和頻域上的特征數據;
分析模塊,用于對所述特征數據和檢測設備的量測數據進行相關性分析,得到目標數據;
處理模塊,用于將所述目標數據輸入錯誤檢測及分類FDC系統,以使得通過所述FDC系統輸出控制策略;
控制模塊,用于根據所述控制策略,進行機臺的工藝控制;
所述分析模塊,還用于:對所述特征數據進行切片處理,得到第二特征數據,所述第二特征數據包括時間片特征數據和頻率片特征數據;
所述處理模塊,具體用于:
根據所述目標數據,確定錯誤類型;
從大數據平臺獲取所述錯誤類型對應的歷史報警信息,以及所述歷史報警信息對應的處理策略記錄;
根據所述處理策略記錄,輸出所述控制策略。
8.一種工藝控制系統,其特征在于,包括:存儲器、處理器,存儲器中存儲有所述處理器的可執行指令;其中,所述處理器配置為經由執行所述可執行指令來執行權利要求1-6任一項所述的工藝控制方法。
9.一種計算機可讀存儲介質,其上存儲有計算機程序,其特征在于,該程序被處理器執行時實現權利要求1-6任一項所述的工藝控制方法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





