[發明專利]一種溫度控制裝置及刻蝕設備有效
| 申請號: | 202010001117.7 | 申請日: | 2020-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN111146125B | 公開(公告)日: | 2022-12-13 |
| 發明(設計)人: | 劉彥修;任志明;李發業;周建;李顯杰;田龍宇;晏熙 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京志霖恒遠知識產權代理有限公司 11435 | 代理人: | 郭棟梁 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 溫度 控制 裝置 刻蝕 設備 | ||
1.一種溫度控制裝置,其特征在于,所述裝置包括:
殼體以及設置在所述殼體內的加熱元件,所述殼體為敞口結構,所述殼體設置在刻蝕室的頂板上,且所述殼體的敞口朝向所述頂板,在所述頂板與所述殼體之間形成溫控腔體,所述加熱元件用于加熱所述溫控腔體內的氣體,避免所述刻蝕室內刻蝕液的揮發氣體在所述刻蝕室頂板上遇冷凝結形成液滴,
所述殼體內設置第一隔板,所述第一隔板將所述溫控腔體劃分為第一腔體及第二腔體,所述第二腔體內設置第二隔板,所述第二隔板將所述第二腔體劃分為加熱室和送氣室,所述加熱元件設置在所述加熱室內,所述第一腔體對應的殼體壁上設置有第一排氣孔,所述送氣室對應的殼體壁上設置有進氣口,所述加熱室對應的第一隔板上設置有連通所述第一腔體及所述加熱室的第一通孔,所述送氣室對應的所述第一隔板上設有連通所述第一腔體與所述送氣室的第二通孔;所述第二隔板上設置有連通所述加熱室及所述送氣室的第三通孔;
所述第一通孔內設置有第一風葉組件,所述第二通孔內上設置有第二風葉組件,所述第三通孔內設置有第三風葉組件,使得在開啟所述加熱元件、所述第一風葉組件及所述第三風葉組件時,自所述進氣口進入所述送氣室的氣體,被所述第三風葉組件輸送到所述加熱室加熱后,被所述第一風葉組件輸送到所述第一腔體,對所述第一腔體進行加熱;
并使得關閉所述加熱元件、所述第一風葉組件及所述第三風葉組件,開啟所述第二風葉組件時,進氣口進入的冷卻氣體,被所述第二風葉組件輸送到所述第一腔體內,使得所述第二腔體內的高溫氣體自所述第一排氣孔排出,對所述第一腔體進行冷卻。
2.根據權利要求1所述的溫度控制裝置,其特征在于,所述第一腔體內設置有整流板,所述整流板上設置有第二排氣孔。
3.根據權利要求1所述的溫度控制裝置,其特征在于,所述第一腔體內靠近所述第一隔板處設置有導熱片。
4.根據權利要求3所述的溫度控制裝置,其特征在于,在所述第一腔體內靠近所述導熱片設置有導流片,所述導熱片位于所述導流片及所述第一隔板之間。
5.根據權利要求1所述的溫度控制裝置,其特征在于,所述第一腔體對應的所述殼體內壁設置有溫度傳感器,所述殼體外壁上嵌設有控制芯片,所述溫度傳感器與所述控制芯片電連接,所述控制芯片用于基于所述溫度傳感器采集的溫度值,控制所述加熱元件、所述第一風葉組件、所述第二風葉組件及所述第三風葉組件的開啟或關閉。
6.一種刻蝕設備,其特征在于,所述設備包括:
刻蝕室及蓋設在所述刻蝕室的頂板上的如權利要求1-5任一項所述的溫度控制裝置,所述溫度控制裝置對所述刻蝕室的頂板進行加熱,避免所述刻蝕室內刻蝕液的揮發氣體在所述刻蝕室頂板上遇冷凝結形成液滴。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





