[發明專利]一種溫度控制裝置及刻蝕設備

有效

• 申請號: 202010001117.7
• 申請日: 2020-01-02
• 公開（公告）號: CN111146125B
• 公開（公告）日: 2022-12-13
• 發明（設計）人: 劉彥修;任志明;李發業;周建;李顯杰;田龍宇;晏熙
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理有限公司 11435
• 代理人: 郭棟梁

本申請公開了一種溫度控制裝置及刻蝕設備，該裝置包括：殼體以及設置在該殼體內的加熱元件，該殼體為敞口結構，該殼體設置在刻蝕室的頂板上，且該殼體的敞口朝向該頂板，在該頂板與該殼體之間形成溫控腔體，該加熱元件用于加熱該溫控腔體內的氣體，使得該刻蝕室的頂板的溫度與該刻蝕室內的刻蝕液溫度接近。本申請實施例通過加熱元件對刻蝕室頂板上的腔體內的氣體加熱，使得該頂板被加熱，進而使得該頂板的溫度與刻蝕室內的刻蝕液的溫度保持接近，避免了刻蝕液的揮發氣體在刻蝕室頂板上遇冷凝結形成液滴，從而避免了由于液滴回落造成的刻蝕工藝缺陷，保證了刻蝕基板上的均勻性，提高了產品的良品率。

技術領域

本申請一般涉及刻蝕技術領域，尤其涉及一種溫度控制裝置及刻蝕設備。

背景技術

在刻蝕工藝中，為了提高刻蝕速率，有時需要將藥液進行加熱。在刻蝕過程中，刻蝕室的藥液會揮發。所揮發的氣體運動到刻蝕室頂部后，將在刻蝕室頂部會遇冷液化凝結，形成液滴。

隨著凝結的藥液量的增多，液滴逐漸增大，最終將滴落到刻蝕基板上，使得藥液滴落位置處的藥液濃度發生變化，而刻蝕液的濃度不均會導致刻蝕基板的過刻或欠刻，進而能夠導致CD Bias與標準值的偏差過大，從而造成刻蝕的工藝缺陷，降低產品良率。

發明內容

鑒于現有技術中的上述缺陷或不足，期望提供一種溫度控制裝置及刻蝕設備，以提高刻蝕工藝的均勻性。

第一方面，提供一種溫度控制裝置，該溫度控制裝置包括：

殼體以及設置在該殼體內的加熱元件，該殼體為敞口結構，該殼體設置在刻蝕室的頂板上，且該殼體的敞口朝向該頂板，在該頂板與該殼體之間形成溫控腔體，該加熱元件用于加熱該溫控腔體內的氣體，使得該刻蝕室的頂板的溫度與該刻蝕室內的刻蝕液溫度接近。

本申請的一個實施例或者多個實施例中的溫度控制裝置，該殼體內設置第一隔板，該第一隔板將該溫控腔體劃分為第一腔體及第二腔體，該加熱元件設置在該第二腔體內，該第一腔體對應的殼體壁上設置有第一排氣孔，該第二腔體對應的殼體壁上設置有進氣口，該第一隔板上設置有連通該第一腔體及該第二腔體的第一通孔。

本申請的一個實施例或者多個實施例中的溫度控制裝置，該第一通孔內設置有第一風葉組件。

本申請的一個實施例或者多個實施例中的溫度控制裝置，該第一腔體內設置有整流板，該整流板上設置有第二排氣孔。

本申請的一個實施例或者多個實施例中的溫度控制裝置，該第一腔體內靠近該第一隔板處設置有導熱片。

本申請的一個實施例或者多個實施例中的溫度控制裝置，在該第一腔體內靠近該導熱片設置有導流片，該導熱片位于該導流片及該第一隔板之間。

本申請的一個實施例或者多個實施例中的溫度控制裝置，在該第二腔體內設置有第二隔板，該第二隔板將該第二腔體劃分為加熱室和送氣室，該加熱元件設置在該加熱室內，該進氣口設置在該送氣室對應的殼體壁上，該第一通孔設置在該加熱室對應的殼體壁上，該第二隔板上設置有連通該加熱室及該送氣室的第二通孔，與該送氣室對應的該第一隔板上還設有連通該第一腔體與該送氣室的第三通孔。

本申請的一個實施例或者多個實施例中的溫度控制裝置，該第二通孔內上設置有第二風葉組件，該第三通孔內設置有第三風葉組件。

本申請的一個實施例或者多個實施例中的溫度控制裝置，該第一腔體對應的該殼體內壁設置有溫度傳感器，該殼體外壁上嵌設有控制芯片，該溫度傳感器與該控制芯片電連接，該控制芯片用于基于該溫度傳感器采集的溫度值，控制該加熱元件、該第一風葉組件、該第二風葉組件及該第三風葉組件的開啟或關閉。

第二方面，本申請實施例提供一種刻蝕設備，該設備包括：