[發(fā)明專利]一種蛋白質(zhì)的表達(dá)方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010000203.6 | 申請日： | 2019-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN113121687A | 公開（公告）日： | 2021-07-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 侯盛;郭懷祖;聶麗;郭清城;戴建新;寇庚;徐進(jìn);張存超;黃衛(wèi)紅 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海邁泰君奧生物技術(shù)有限公司;上海百邁博制藥有限公司;上海張江生物技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | C07K16/28 | 分類號： | C07K16/28;C12N5/071 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 蛋白質(zhì) 表達(dá) 方法 | ||
1.一種抗EGFR抗體的制備方法，其特征在于，所述方法使用無血清、無動物源組分的基礎(chǔ)培養(yǎng)基及補(bǔ)充培養(yǎng)基對含有抗EGFR抗體Pan-P基因序列的CHO宿主細(xì)胞進(jìn)行培養(yǎng)表達(dá)，所述基礎(chǔ)培養(yǎng)基為CHOM-B系列的組合培養(yǎng)基，所述補(bǔ)充培養(yǎng)基為CHOM-S系列的組合培養(yǎng)基。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗EGFR抗體的制備方法，其特征在于，所述方法的CHO宿主細(xì)胞的培養(yǎng)表達(dá)包含細(xì)胞擴(kuò)增階段、灌流培養(yǎng)階段及補(bǔ)充培養(yǎng)階段，在細(xì)胞擴(kuò)增和灌流培養(yǎng)階段使用基礎(chǔ)培養(yǎng)基，補(bǔ)充培養(yǎng)階段使用補(bǔ)充培養(yǎng)基。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗EGFR抗體的制備方法，其特征在于，所述CHO宿主細(xì)胞灌流培養(yǎng)階段的條件為：溫度為30℃~39℃；基礎(chǔ)培養(yǎng)基pH為6.6~7.1；溶氧量30%~60%；每日補(bǔ)充葡萄糖3~5g/L；攪拌轉(zhuǎn)速80~150rpm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的抗EGFR抗體的制備方法，其特征在于，所述CHO宿主細(xì)胞灌流培養(yǎng)階段的條件為：溫度為35.5℃~36.5℃；基礎(chǔ)培養(yǎng)基pH為6.6~6.8；溶氧量30%~40%；每日補(bǔ)充葡萄糖3~5g/L；攪拌轉(zhuǎn)速80~150rpm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗EGFR抗體的制備方法，其特征在于，所述CHO宿主細(xì)胞補(bǔ)充培養(yǎng)階段的條件為：在灌流培養(yǎng)培養(yǎng)的第2~4天，降低溫度至32℃~34℃，pH為7.0~7.3，添加補(bǔ)充培養(yǎng)基，進(jìn)行補(bǔ)充培養(yǎng)，每日添加補(bǔ)充培養(yǎng)基的量為上灌體積的1%~5%，補(bǔ)充培養(yǎng)8~18天。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的抗EGFR抗體的制備方法，其特征在于，所述CHO宿主細(xì)胞補(bǔ)充培養(yǎng)階段的條件為：在灌流培養(yǎng)培養(yǎng)的第2~4天，降低溫度至33℃，pH為7.0~7.1，添加補(bǔ)充培養(yǎng)基，進(jìn)行補(bǔ)充培養(yǎng)，每日添加補(bǔ)充培養(yǎng)基的量為上灌體積的1%~5%，低溫補(bǔ)充培養(yǎng)8~10天。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6所述的抗EGFR抗體的制備方法，其特征在于，所述基礎(chǔ)培養(yǎng)基為CHOM-B01與CHOM-B02組合、CHOM-B01與CHOM-B03組合、CHOM-B01與CHOM-B02及CHOM-B03組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的抗EGFR抗體的制備方法，其特征在于，所述基礎(chǔ)培養(yǎng)基為CHOM-B01：CHOM-B02為1:1~1:5，CHOM-B01：CHOM-B03為1:1~1:0.1。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的抗EGFR抗體的制備方法，其特征在于，所述基礎(chǔ)培養(yǎng)基為CHOM-B01：CHOM-B02為1:1~1:3。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-6所述的抗EGFR抗體的制備方法，其特征在于，所述補(bǔ)充培養(yǎng)基為CHOM-S01與CHOM-S03組合、CHOM-S01與CHOM-S04的組合、CHOM-S01與CHOM-S03及CHOM-S04組合。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的抗EGFR抗體的制備方法，其特征在于，所述補(bǔ)充培養(yǎng)基為CHOM-S01：CHOM-S03為1:1~1:0.3，CHOM-S01：CHOM-S04為1:1~1:7。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的抗EGFR抗體的制備方法，其特征在于，所述補(bǔ)充培養(yǎng)基為CHOM-S01：CHOM-S03為1:1~1:0.3。
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