[發(fā)明專利]一種硅片背面金屬化結(jié)構(gòu)及其制造工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010000190.2 | 申請日： | 2020-01-02 |
| 公開（公告）號： | CN110783292A | 公開（公告）日： | 2020-02-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 高瑞峰;周駿貴 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗院 |
| 主分類號： | H01L23/482 | 分類號： | H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司： | 32207 南京知識律師事務(wù)所 | 代理人： | 康翔 |
| 地址： | 210019 江蘇省南京市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅器件 沉積 背面 導(dǎo)熱性 集成電路工藝 物理氣相沉積 導(dǎo)電性 半導(dǎo)體器件 背面金屬化 第一金屬層 熱膨脹系數(shù) 背面減薄 背面拋光 襯底硅片 工藝步驟 接觸電阻 歐姆接觸 正面保護 制造過程 粘附性 硅片 良率 制備 清洗 | ||
1.一種硅片背面金屬化結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述結(jié)構(gòu)在背面襯底硅片的表面按距離硅片由近及遠順序依次至少沉積有第一金屬層，第一金屬層的材質(zhì)是鉿。
2.按照權(quán)利要求1所述的一種硅片背面金屬化結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述結(jié)構(gòu)在背面襯底硅片的表面按距離硅片由近及遠順序依次沉積有第一金屬層、第二金屬層，第二金屬層的材質(zhì)是金、鎳或金鍺合金中的任一種。
3.按照權(quán)利要求1所述的一種硅片背面金屬化結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述結(jié)構(gòu)在背面襯底硅片的表面按距離硅片由近及遠順序依次沉積有第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層，第三金屬層的材質(zhì)是銀、金、金鍺合金、金錫合金中的任一種。
4.按照權(quán)利要求1所述的一種硅片背面金屬化結(jié)構(gòu)，其特征在于：第一金屬層的厚度為30nm～300nm。
5.按照權(quán)利要求2所述的一種硅片背面金屬化結(jié)構(gòu)，其特征在于：金用作第二金屬層的厚度為500nm～2000nm，鎳用作第二金屬層的厚度為100nm～600nm，金鍺合金用作第二金屬層的厚度為100nm～500nm。
6.按照權(quán)利要求3所述的一種硅片背面金屬化結(jié)構(gòu)，其特征在于：銀用作第三金屬層的厚度為100nm～2000nm，金用作第三金屬層的厚度為100nm～1500nm，金鍺合金或金錫合金用作第三金屬層的厚度為300nm～1500nm。
7.一種制備如權(quán)利要求1所述的硅片背面金屬化結(jié)構(gòu)的工藝，其特征在于：第一金屬層采用磁控濺射或電子束蒸發(fā)制備，其中磁控濺射的速率為5nm/s～15nm/s，電子束蒸發(fā)的速率為0.5nm/s～3nm/s。
8.一種制備如權(quán)利要求2或3所述的硅片背面金屬化結(jié)構(gòu)的工藝，其特征在于：第二金屬層、第三金屬層采用蒸發(fā)或磁控濺射制備，蒸發(fā)的速率為0.5nm/s～3nm/s，磁控濺射的速率為5nm/s～15nm/s。
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