[發(fā)明專利]改善階梯結(jié)構(gòu)中的半隔離字線的蝕刻裕量的虛設(shè)字線觸點(diǎn)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980101769.3 | 申請日: | 2019-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN114600243A | 公開(公告)日: | 2022-06-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉瀏;孫川;馬洪 | 申請(專利權(quán))人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H01L27/11582 | 分類號: | H01L27/11582 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258 | 代理人: | 姜飛 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 改善 階梯 結(jié)構(gòu) 中的 隔離 蝕刻 虛設(shè) 觸點(diǎn) | ||
1.一種存儲(chǔ)器設(shè)備,包括:
堆疊在三維(3D)階梯堆疊中的多條字線,包括在所述階梯堆疊的邊緣處的第一字線,該第一字線在一側(cè)有相鄰字線,而在相反側(cè)沒有相鄰字線;以及
垂直連接器,所述垂直連接器穿過所述3D階梯堆疊上的隔離層來將所述3D階梯堆疊的字線與訪問層中的導(dǎo)電線相連接,所述垂直連接器包括在所述第一字線的所述相反側(cè)的至少一個(gè)虛設(shè)垂直連接器,其中所述虛設(shè)垂直連接器不將所述3D階梯堆疊的字線電連接到所述訪問層中的導(dǎo)電線。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器設(shè)備,其中所述虛設(shè)垂直連接器沒有完全穿過所述隔離層延伸到所述字線。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器設(shè)備,其中所述虛設(shè)垂直連接器連接到所述3D階梯堆疊中的字線,而不連接到所述訪問層中的導(dǎo)電線。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器設(shè)備,其中所述虛設(shè)垂直連接器包括第一虛設(shè)垂直連接器,并且還包括第二虛設(shè)垂直連接器,其中所述第二虛設(shè)垂直連接器不將所述3D階梯堆疊的字線電連接到所述訪問層中的導(dǎo)電線。
5.如權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器設(shè)備,其中所述第一虛設(shè)垂直連接器位于所述第一字線的所述相反側(cè)并且所述第二虛設(shè)垂直連接器位于所述第一字線的所述一側(cè)。
6.如權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器設(shè)備,其中所述第一虛設(shè)垂直連接器位于所述第一字線的所述相反側(cè)并且所述第二虛設(shè)垂直連接器位于所述第一字線的所述相反側(cè)。
7.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器設(shè)備,還包括第三虛設(shè)垂直連接器,其中所述第三虛設(shè)垂直連接器不將所述3D階梯堆疊的字線電連接到所述訪問層中的導(dǎo)電線,所述第三虛設(shè)垂直連接器位于所述第一字線的所述一側(cè)。
8.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器設(shè)備,其中所述第一字線是所述3D階梯堆疊的區(qū)域中的頂層。
9.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器設(shè)備,其中所述第一字線是所述3D階梯堆疊的區(qū)域中的底層。
10.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器設(shè)備,其中所述虛設(shè)垂直連接器的直徑小于將所述3D階梯堆疊的字線與訪問層中的導(dǎo)電線相連接的垂直連接器的直徑。
11.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器設(shè)備,其中所述3D階梯堆疊包括NAND閃存存儲(chǔ)器設(shè)備的字線的3D堆疊。
12.一種系統(tǒng),包括:
非易失性(NV)存儲(chǔ)器控制器;以及
與所述NV存儲(chǔ)器控制器相耦合的NV存儲(chǔ)器的多個(gè)管芯,所述NV存儲(chǔ)器管芯包括
堆疊在三維(3D)階梯堆疊中的多條字線,包括在所述階梯堆疊的邊緣處的第一字線,該第一字線在一側(cè)有相鄰字線,而在相反側(cè)沒有相鄰字線;以及
垂直連接器,所述垂直連接器穿過所述3D階梯堆疊上的隔離層來將所述3D階梯堆疊的字線與訪問層中的導(dǎo)電線相連接,所述垂直連接器包括在所述第一字線的所述相反側(cè)的至少一個(gè)虛設(shè)垂直連接器,其中所述虛設(shè)垂直連接器不將所述3D階梯堆疊的字線電連接到所述訪問層中的導(dǎo)電線。
13.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng),其中所述虛設(shè)垂直連接器沒有完全穿過所述隔離層延伸到所述字線。
14.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng),其中所述虛設(shè)垂直連接器包括第一虛設(shè)垂直連接器,并且還包括第二虛設(shè)垂直連接器,其中所述第二虛設(shè)垂直連接器不將所述3D階梯堆疊的字線電連接到所述訪問層中的導(dǎo)電線。
15.如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng),其中所述第一虛設(shè)垂直連接器位于所述第一字線的所述相反側(cè)并且所述第二虛設(shè)垂直連接器位于所述第一字線的所述一側(cè)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
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