[發明專利]三維流路結構體及使用其的納米粒子的制造方法

在審

• 申請號: 201980100944.7
• 申請日: 2019-10-04
• 公開（公告）號: CN114502269A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 真栄城正壽;渡慶次學;原島秀吉;佐藤悠介;木村笑
• 申請（專利權）人: 國立大學法人北海道大學
• 主分類號: B01J13/04
• 分類號: B01J13/04;A61K9/127;C12N15/113
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 邊丹丹;黃健

1.一種流路結構體，用于形成包含自組裝分子作為粒子構成成分的粒子(以下，稱為自組裝分子粒子)，所述流路結構體中，

所述流路結構體具有基體及設置于其內部的流路結構，

流路結構在其上游側具有相互獨立的、導入第一流動體的第一導入路徑與導入第二流動體的第二導入路徑中至少兩個導入路徑，且所述導入路徑在合流部位合流，

流路結構具有朝向所述合流部位的下游側而至少一個三維地彎曲的稀釋流路，

所述三維地彎曲的稀釋流路以比其更靠上游的稀釋流路的軸線方向或其延長方向為X方向，以與X方向垂直地交叉的稀釋流路的寬度方向為Y方向，以分別與X方向及Y方向垂直地交叉的稀釋流路的深度方向為Z方向，至少在其一部分的稀釋流路內，分別獨立地具有向Y方向突出的兩個以上的Y結構件及向Z方向突出的一個以上的Z結構件，且所述Y結構件的鄰接的至少兩個在Y方向上交替地突出。

2.根據權利要求1所述的流路結構體，其中Y結構件的突出長為流路寬度的±10％～90％的范圍(其中，將自一個流路內表面的突出長設為+，將自位于與一個流路內表面相向的位置的流路內表面的突出長設為-)，X方向的長度為流路寬度的10％～1000％的范圍，相鄰的兩個Y結構件的位于相向的位置的面的間隔為流路寬度的10％～1000％的范圍。

3.根據權利要求1或2所述的流路結構體，其中Z結構件的突出長為流路高度的±10％～90％的范圍(其中，將自一個流路內表面的突出長設為+，將自位于與一個流路內表面相向的位置的流路內表面的突出長設為-)，X方向的長度為流路寬度的10％～1000％的范圍，在Z結構件為兩個以上的情況下，相鄰的兩個Z結構件的位于相向的位置的面的間隔為流路寬度的10％以上的范圍。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的流路結構體，其中自所述導入路徑的合流部位至最初的Y結構件和/或最初的Z結構件的稀釋流路的長度x、寬度y及高度z為x：y為1～100：1的范圍、z：y為0.1～5：1的范圍。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的流路結構體，其中自所述導入路徑的合流部位起最初的結構件是Y結構件、Z結構件或者Y結構件及Z結構件。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的流路結構體，其中自所述導入路徑的合流部位起最初的結構件為Y結構件(以下，稱為第1Y結構件，將下游的Y結構件依次稱為第mY結構件，m為2以上的整數)及Z結構件(以下，稱為第1Z結構件，將下游的Z結構件依次稱為第nY結構件，n為2以上的整數)，

第1Y結構件在X方向上的長度與第1Z結構件在X方向上的長度相同，

第1Z結構件與第2Z結構件的間隔等于第1Y結構件與第2Y結構件的間隔。

7.根據權利要求6所述的流路結構體，其中第2Z結構件及第2Y結構件的更靠下游的Z結構件的設置位置和Y結構件的設置位置具有與根據權利要求6所述的位置關系相同的關系。

8.根據權利要求1至5中任一項所述的流路結構體，其中自所述導入路徑的合流部位起最初的結構件是Y結構件，

自所述導入路徑的合流部位起最初的Z結構件即第1Z結構件的上游側面位于與第2Y結構件的上游側面相同的位置，

第1Z結構件在X方向上的長度與第2Y結構件在X方向上的長度相同，

第1Z結構件與第2Z結構件的間隔等于第2Y結構件與第4Y結構件的間隔。

9.根據權利要求8所述的流路結構體，其中第2Z結構件及第4Y結構件的更靠下游的Z結構件的設置位置和Y結構件的設置位置具有與根據權利要求8所述的位置關系相同的關系。