[發明專利]半導體裝置的制造方法、記錄介質和基板處理裝置

在審

• 申請號: 201980100576.6
• 申請日: 2019-09-18
• 公開（公告）號: CN114503242A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 小川有人;高和康太
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;C23C16/34;C23C16/455;H01L21/3065
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 陳彥;李宏軒

本發明能夠形成具有平坦性的膜。交替進行以下工序，在所述基板上形成多層含金屬膜：在基板上形成含金屬膜的工序；以及，對于所述基板供給處理氣體，進行在含金屬膜的表面上的晶體層分隔膜的形成工序和含金屬膜的表面上的異常生長核的除去工序中的任一者或兩者的工序。

技術領域

本公開涉及半導體裝置的制造方法、記錄介質和基板處理裝置。

背景技術

作為具有3維結構的NAND型閃存、DRAM的字線，例如使用低電阻的鎢(W)膜。另外，有時在該W膜與絕緣膜之間設置作為障壁膜的例如氮化鈦(TiN)膜(例如，參照專利文獻1和專利文獻2)。TiN膜具有提高W膜與絕緣膜的密合性的作用，在該TiN膜上形成使W膜生長的核形成膜。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2011-66263號公報

專利文獻2：國際公開第2019/058608號小冊子

發明內容

發明要解決的課題

但是，形成了W膜的溝的填埋寬度變得細微，如果TiN膜不平坦，則W膜的體積會減小，難以實現W膜的低電阻化。

本公開的目的在于，提供一種能夠形成具有平坦性的膜的技術。

解決課題的方法

根據本公開的一個方式，提供一種技術，交替進行以下工序，在基板上形成多層含金屬膜：在所述基板上形成所述含金屬膜的工序；以及，對于上述基板供給處理氣體，進行在上述含金屬膜的表面上的晶體層分隔膜的形成工序和上述含金屬膜的表面上的異常生長核的除去工序中的任一者或兩者。

發明效果

根據本公開，能夠形成具有平坦性的膜。

附圖說明

圖1是顯示本公開的一個實施方式中基板處理裝置的縱型處理爐的概略的縱截面圖。

圖2是圖1中A-A線概略橫截面圖。

圖3是本公開的一個實施方式中基板處理裝置的控制器的概略構成圖，是以框圖顯示控制器的控制系統的圖。

圖4是顯示本公開的第一實施方式中的成膜流程的圖。

圖5是顯示本公開的第二實施方式中的成膜流程的圖。

圖6是顯示本公開的第三實施方式中的成膜流程的圖。

圖7是顯示本公開的第四實施方式中的成膜流程的圖。

圖8是顯示本公開的實施方式的成膜流程中的成膜工序的變形例的圖。

圖9中的(A)和(B)是顯示本公開的其他實施方式中基板處理裝置的處理爐的概略的縱截面圖。

圖10是顯示對比較例和實施例1～3中在基板上形成的TiN膜的截面進行比較的圖。

具體實施方式

以下，參照圖1～4進行說明。

(1)基板處理裝置的構成

基板處理裝置10具有設置了作為加熱單元(加熱機構、加熱系統)的加熱器207的處理爐202。加熱器207為圓筒形狀，受到作為保持板的加熱器基座(未圖示)的支撐而垂直安裝。