[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法、記錄介質(zhì)和基板處理裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201980100576.6
• 申請日: 2019-09-18
• 公開（公告）號: CN114503242A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小川有人;高和康太
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社國際電氣
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;C23C16/34;C23C16/455;H01L21/3065
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 陳彥;李宏軒

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，交替進(jìn)行以下(a)工序和(b)工序，在基板上形成多層含金屬膜，

(a)在所述基板上形成所述含金屬膜的工序，

(b)對于所述基板供給處理氣體，進(jìn)行在所述含金屬膜的表面上的晶體層分隔膜的形成工序和所述含金屬膜的表面上的異常生長核的除去工序中的任一者或兩者的工序。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

在(b)中，使每一次循環(huán)中所述處理氣體供給時(shí)的所述基板存在空間的壓力不同。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

在(b)中，使所述處理氣體供給時(shí)的所述基板存在空間的壓力隨著循環(huán)數(shù)的每次增加而升高。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

在(b)中，進(jìn)行所述晶體層分隔膜的形成工序和所述異常生長核的除去工序這兩者。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

在(b)中，在進(jìn)行所述異常生長核的除去工序后，進(jìn)行所述晶體層分隔膜的形成工序。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

在(b)中，反復(fù)進(jìn)行所述異常生長核的除去工序和所述晶體層分隔膜的形成工序。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

在(a)中，對于所述基板進(jìn)行預(yù)定次數(shù)的含有金屬和鹵素的氣體的供給和還原氣體的供給，或者，對于所述基板進(jìn)行預(yù)定次數(shù)的含有金屬和鹵素的氣體的供給、硅烷系氣體的供給和還原氣體的供給，從而在所述基板上形成所述含金屬膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

在所述晶體分隔膜的形成工序中，供給含氧氣體作為所述處理氣體。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

所述含氧氣體是氧、臭氧、一氧化氮或氧化亞氮?dú)怏w。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

在所述晶體層分隔膜的形成工序中，供給含硅氣體作為所述處理氣體。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

所述含硅氣體是硅烷系氣體。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

所述含硅氣體是氯硅烷系的氣體。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

在所述異常生長核的除去工序中，供給含鹵氣體作為所述處理氣體。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

所述含鹵氣體是三氟化氮、六氟化鎢、三氟化氯、氟、氟化氫氣體中的至少任一種。

15.一種計(jì)算機(jī)可讀的記錄介質(zhì)，記錄有通過計(jì)算機(jī)使基板處理裝置執(zhí)行以下過程的程序，所述過程是交替進(jìn)行如下的(a)過程和(b)過程從而在基板上形成多層含金屬膜的過程，

(a)在所述基板處理裝置的處理室內(nèi)的基板上形成所述含金屬膜的過程，和

(b)對于所述基板供給處理氣體，進(jìn)行在所述含金屬膜的表面上形成晶體層分隔膜的過程和將所述含金屬膜的表面上的異常生長核除去的過程中的任一者或兩者的過程。

16.一種基板處理裝置，具有：

容納基板的處理室，

向所述處理室內(nèi)供給處理氣體的氣體供給系統(tǒng)，

對所述處理室內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣系統(tǒng)，和

控制部，所述控制部構(gòu)成為通過控制所述氣體供給系統(tǒng)、所述排氣系統(tǒng)，交替進(jìn)行以下處理，從而在所述基板上形成多層含金屬膜，所述處理是：在所述基板上供給處理氣體以形成含金屬膜的處理，和對于所述基板供給所述處理氣體以進(jìn)行在所述含金屬膜的表面上的晶體層分隔膜的形成和所述含金屬膜的表面上的異常生長核的除去中的任一者或兩者的處理。