[發明專利]外延生長裝置的工藝腔室

在審

• 申請號: 201980097920.0
• 申請日: 2019-07-25
• 公開（公告）號: CN114026675A
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 岡部晃;竹永幸生
• 申請（專利權）人: 愛必克股份有限公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 石佳

一種外延生長裝置的工藝腔室，其是反應處理半導體基板的工藝腔室，具有：基座，由僅支撐徑向中心部且沿上下方向延伸的軸構件支撐并配置在所述工藝腔室中，所述基座上載置所述半導體基板；指板晶圓升降機，配置在所述基座的下方并且被構成為可在所述軸構件的軸向方向上移動；升降銷，隨著所述指板晶圓升降機接近所述基座，使所述半導體基板從所述基座的上表面向上方位移；所述基座中形成有所述升降銷穿過的貫通孔。

技術領域

本發明涉及外延生長裝置的工藝腔室。

背景技術

以往，在半導體制造裝置中，已知有通過熱處理等在半導體基板上進行成膜的工藝腔室。

作為這樣的工藝腔室，在專利文獻1中公開了具有用于取出半導體基板的可上升的基座的構成。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2014-222693號公報

發明內容

發明所要解決的課題

但是，在專利文獻1記載的發明中，由于基座上升，因此存在工藝腔室整體在上下方向上增大的問題。

因此，本發明的目的在于提供一種能夠抑制上下方向增大的外延生長裝置的工藝腔室。

解決課題的技術方案

為解決上述課題，本發明的外延生長裝置的工藝腔室為反應處理半導體基板的工藝腔室，其具有：基座，由僅支撐徑向中心部且沿上下方向延伸的軸構件支撐并配置在工藝腔室中，基座上載置半導體基板；指板晶圓升降機，配置在基座的下方并且被構成為可在軸構件的軸向方向上移動；升降銷，隨著指板晶圓升降機接近基座，使半導體基板從基座的上表面向上方位移?；行纬捎猩典N穿過的貫通孔。

另外，指板晶圓升降機具有沿上下方向延伸的支撐管，及從支撐管的上端部沿徑向延伸的多個支撐臂。支撐臂的徑向方向上的外端部形成有與升降銷沿上下方向對置的頂端部。頂端部的周方向的尺寸可以大于支撐臂的除了頂端部之外的部分。

另外，基座的上表面的除了外周緣部以外的部分，在載置半導體基板的同時，形成比外周緣部凹陷的載置面，貫通孔可以形成在載置面上沿徑向方向的外端部處。

發明的效果

根據本發明的外延生長裝置的工藝腔室，具有僅支撐徑向中心部的基座。然后，通過提升穿過基座的貫通孔的升降銷，可以使半導體基板向上方位移。

因此，與例如將基座大幅升高以將半導體基板向上方位移的構成相比，可以減小在上下方向上位移部分的構成，抑制工藝腔室的上下方向的增大。

附圖說明

圖1是根據本發明的一種實施方式的具備外延生長裝置的工藝腔室的半導體制造裝置的縱斷面圖。

圖2是在圖1所示的工藝腔室中，(a)是顯示基座單元的立體圖，(b)是(a)中的基座的透視圖。

圖3(a)是基座單元的正視圖，(b)是指板晶圓升降機的平面圖。

圖4是表示將半導體基板運送到圖1所示的工藝腔室內的工序圖。

圖5是表示在圖1所示的工藝腔室中反應處理半導體基板的工序圖。

圖6是表示從圖1所示的工藝腔室內取出半導體基板的工序圖。

具體實施方式

其次，參照附圖對根據本發明的實施方式的外延生長裝置的工藝腔室2進行說明。

本實施方式的工藝腔室2是在半導體制造裝置1中，進行通過熱處理等在半導體基板S上成膜的反應處理的腔室。首先，描述半導體制造裝置1的構成。