[發明專利]外延生長裝置的工藝腔室在審
| 申請號： | 201980097920.0 | 申請日： | 2019-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN114026675A | 公開（公告）日： | 2022-02-08 |
| 發明（設計）人： | 岡部晃;竹永幸生 | 申請（專利權）人： | 愛必克股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/205 | 分類號： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京高沃律師事務所 11569 | 代理人： | 石佳 |
| 地址： | 日本長崎縣大*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 外延 生長 裝置 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種反應處理半導體基板的外延生長裝置的工藝腔室，
具有：基座，由僅支撐徑向中心部且沿上下方向延伸的軸構件支撐并配置在所述工藝腔室中，所述基座上載置所述半導體基板；
指板晶圓升降機，配置在所述基座的下方并且被構成為可在所述軸構件的軸向方向上移動；
升降銷，隨著所述指板晶圓升降機接近所述基座，使所述半導體基板從所述基座的上表面向上位移；
所述基座中形成有所述升降銷穿過的貫通孔。
2.根據權利要求1所述的工藝腔室，其特征在于：
所述指板晶圓升降機具有沿上下方向延伸的支撐管，及從支撐管的上端部沿徑向延伸的多個支撐臂，
所述支撐臂的徑向方向上的外端部形成有與所述升降銷沿上下方向對置的頂端部，
所述頂端部的周方向的尺寸大于所述支撐臂的除了所述頂端部之外的部分。
3.根據權利要求1或2所述的工藝腔室，其特征在于：
所述基座的上表面的除了外周緣部以外的部分，在載置所述半導體基板的同時，形成比所述外周緣部凹陷的載置面，
所述貫通孔形成在所述載置面的徑向外端部處。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
