[發明專利]半導體激光裝置

在審

• 申請號: 201980097904.1
• 申請日: 2019-07-02
• 公開（公告）號: CN114026752A
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 小坂尚希;淵田步;島田征明;境野剛;高瀨禎
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01S5/023
• 分類號: H01S5/023;H01S5/02315
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 郭忠健

本發明的半導體激光裝置具備：作為基體材料的管座(1)；LD次基臺(2)，設置有表面電極(20a、20b)，并與管座(1)的表面接合；LD芯片(4)，配置于表面電極(20a)，并與表面電極(20b)連接；以及引線(3a、3b)，經由設置于LD次基臺(2)的通孔(2c、2d)內的埋入層(21a、21b)而與表面電極(20a、20b)電連接，并通過封接部件(10a、10b)固定于設置于管座(1)的孔(1a、1b)，在管座(1)與LD次基臺(2)的接合面側的、封接部(10a、10b)或LD次基臺(2)的引線(3a、3b)與埋入層(21a、21b)的連接部的周圍設置有槽部(10ad、10bd)，由此得到良好的調制光波形。

技術領域

本申請涉及半導體激光裝置。

背景技術

在以往的半導體激光裝置中，激光二極管(Laser Diode：以下簡稱為LD)芯片安裝在從管座(stem)的金屬基體垂直地突出的突起部的散熱片(例如，參照專利文獻1)。另外，已知在管座上具備平行地放射激光的半導體激光元件和次基臺的半導體激光裝置(例如，參照專利文獻2)等。

以往的半導體激光裝置被輸入用于驅動LD芯片的DC(Direct Current)偏壓和調制信號。調制信號經由引線、金線以及次基臺而輸入到LD芯片，LD芯片以追隨矩形的調制信號的接通斷開的方式接通斷開激光。此時，即使輸入于LD芯片的信號是理想的矩形波，由于引線以及金屬線的寄生電感而導致阻抗不匹配變大，從LD芯片得到的激光的調制光波形的上升時間以及下降時間變長，導致波形劣化。若波形的劣化嚴重，則在接收側無法區分光信號的接通斷開，而使信號的解調變得困難。特別是，調制頻率越高阻抗不匹配的影響越大，光波形越大幅劣化。另一方面，雖然光調制度受半導體激光芯片的緩和振動的影響，而在頻率fr變大，但在比其更高調制頻率下，光調制度變小。若將光調制度比低頻調制時降低1.5dB時的頻率設為fc，將調制光波形從10％上升到90％所需的時間設為tr，將從90％下降到10％所需的時間設為tf，則fc、tr以及tf的關系由tr＝tf＝0.35/fc賦予，由此fc越大tr、tf越小，能夠得到良好的調制光波形。為了改善調制光波形，降低寄生電感來抑制阻抗不匹配，提高fc是有效的。

專利文獻1：日本特開2004-342882號公報(段落0026，圖1)

專利文獻2：日本特開2008-198934號公報(段落0022，圖1)

為了減少寄生電感，有效的是縮短引線以及金線，但在專利文獻1以及專利文獻2所示的以往構造中，需要將引線以及金屬線延伸到芯片位置，而存在長引線以及金線使調制光波形劣化的問題。另外，若使LD芯片的位置接近管座上表面則能夠縮短引線以及金屬線，但在使用通常的半導體激光裝置的組裝裝置的情況下，由于在安裝芯片時芯片吸附用夾頭與管座干擾，所以存在缺乏實現性的問題。

發明內容

本申請公開了用于解決上述那樣的課題的技術，其目的在于提供一種能夠減少金屬線的使用，得到良好的調制光波形，并且芯片的安裝容易的半導體激光裝置。

本申請所公開的半導體激光裝置的特征在于，具備：作為基體的管座；次基臺，在表面設置有電極，并與上述管座接合；半導體激光元件，與上述電極接合；以及引線，與上述電極連接，并被封接部件固定于設置于上述管座的孔，在上述管座與上述次基臺的接合面側的、上述封接部件或上述次基臺的上述引線的周圍設置有槽部。

根據本申請，通過減少金屬線的使用，能夠減少寄生電感，而得到良好的調制光波形，并且能夠容易地安裝芯片。

附圖說明

圖1是表示實施方式1的半導體激光裝置的結構的俯視圖。

圖2是表示實施方式1的半導體激光裝置的結構的剖視圖。

圖3是表示實施方式1的半導體激光裝置的結構的剖視圖。

圖4是用于說明實施方式1的半導體激光裝置所使用的次基臺的安裝工序的圖。