[發明專利]半導體激光裝置在審
| 申請號: | 201980097904.1 | 申請日: | 2019-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN114026752A | 公開(公告)日: | 2022-02-08 |
| 發明(設計)人: | 小坂尚希;淵田步;島田征明;境野剛;高瀨禎 | 申請(專利權)人: | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號: | H01S5/023 | 分類號: | H01S5/023;H01S5/02315 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 郭忠健 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 激光 裝置 | ||
1.一種半導體激光裝置,其特征在于,
所述半導體激光裝置具備:
作為基體的管座;
次基臺,在表面設置有電極,并與所述管座接合;
半導體激光元件,與所述電極接合;以及
引線,與所述電極連接,并被封接部件固定于設置于所述管座的孔,
在所述管座與所述次基臺的接合面側的、所述封接部件或所述次基臺的所述引線的周圍設置有槽部。
2.根據權利要求1所述的半導體激光裝置,其特征在于,
所述引線經由設置于所述次基臺的孔內的金屬制的埋入層而電連接。
3.根據權利要求1所述的半導體激光裝置,其特征在于,
所述引線與所述電極接觸而電連接。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的半導體激光裝置,其特征在于,
所述半導體激光裝置具備:
反射鏡,反射從所述半導體激光元件射出的激光;和
光電二極管元件,設置于所述反射鏡的后方,接收透過了所述反射鏡的所述激光,
所述光電二極管元件經由所述電極與所述引線連接。
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