[發(fā)明專利]調(diào)整向等離子體供電的電源的輸出功率的方法、等離子體設備以及電源

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980097851.3
• 申請日: 2019-06-24
• 公開（公告）號: CN115427605A
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發(fā)明（設計）人: J·斯維亞特尼基;K·魯達;M·維奧斯納;G·托奇洛夫斯基;陳佳磊
• 申請（專利權）人: 通快許廷格有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 周家新

一種調(diào)整向等離子體室(2、2')中的等離子體(15、15')供電的電源(10、10')的輸出功率的方法，該方法包括以下步驟：a.將所述電源(10、10')與所述等離子體室(2、2')中的至少一個電極(11、11'、12、12')相連接，b.使用基材載體(4、4')將一個或更多個基材(3、3a、3b、3')相對于所述電極(11、11'、12、12')運送，c.通過電力維持所述等離子體(15、15')，d.借助于所述等離子體(15、15')處理所述基材(3、3a、3b、3')，e.根據(jù)與所述電極(11、11'、12、12')的面向基材?載體組件(5、5')的表面和所述基材?載體組件(5、5')的面向電極(11、11'、12、12')的表面之間的距離(d)相關的參數(shù)調(diào)整功率。

技術領域

本發(fā)明涉及一種調(diào)整向等離子體室中的等離子體供電的電源的輸出功率的方法。此外，本發(fā)明還涉及一種用于在等離子體室中處理基材的等離子體設備，以及一種具有控制等離子體室中工藝的控制器的電源。

背景技術

等離子體工藝正被用于處理基材，特別是用于在基材上沉積層、例如通過濺射的方式沉積層。此外，基材可以在等離子體工藝中被蝕刻。當在平面或三維基材上進行蝕刻或沉積時，就會觀察到不等的層厚。特別是當在同一個等離子體室中處理幾個、特別是不同的基材時，問題就會出現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種方法和設備，以確保對基材的均勻加工、特別是避免基材的不等層厚。

該目的是通過根據(jù)本發(fā)明的一個方面的調(diào)整向等離子體室中的等離子體供電的電源的輸出功率的方法來實現(xiàn)的，包括以下步驟：

a)將電源與等離子體室中的至少一個電極相連，

b)使用基材載體將一個或更多個基材相對于電極運送，

c)通過電力維持等離子體，

d)借助于等離子體處理基材，

e)根據(jù)與所述電極的面向基材-載體組件表面和所述基材-載體組件的面向電極的表面之間的距離相關的參數(shù)調(diào)整功率。

處理過程可以包括沉積、涂層、濺射、反應性濺射、蝕刻、灰化等。有利地，兩個電極與一個電源相關聯(lián)、即連接到一個電源。如果提供多個電源，每個電源可以與一個或更多個電極相關聯(lián)、特別是與它們相連接。該一個或兩個電極可以實施為目標或連接到目標。優(yōu)選地，電極實施為旋轉(zhuǎn)的電極。使用本發(fā)明的方法，可以在金屬、玻璃、塑料和其他材料上沉積層。在等離子體室中要處理的基材可以是大型玻璃基材，也可以是小型部件、例如電子元件外殼的一部分、諸如鏡片的光學元件或裝飾性汽車部件。通常，待在等離子體室中處理的基材不是完全平坦的，而是具有三維形態(tài)。

基材-載體組件是載體，在其上放置了一個或更多個基材?；妮d體通常與基材一起移動。也有可能，基材移動而基材載體是固定的、例如在直排涂料器中，基材在輥子上移動。兩個相鄰的基材之間可能存在間隙，從而基材載體的表面就面向電極而不是基材的表面面向電極。部分等離子體會擴散到基材之間的間隙中。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，為了進行均勻的處理(沉積或蝕刻)，當間隙、即載體表面面向電極時，必須向等離子體提供更多的功率。功率可能取決于間隙的深度和/或?qū)挾取?/p>

基材-載體組件和電極之間的距離可以理解為與電極表面正交方向的距離。該距離可以是基材和電極之間的距離，也可以是載體在兩個基材之間的間隙的表面和電極之間的距離。替代地，該距離可以是基材和電極之間或載體表面和電極之間的最短距離。

如果使用多于一個電極建立等離子體，那么基材-載體組件和電極之間的距離可以理解為：

-第一、第二、第三、......或最后一個電極之間沿基材-載體組件的運送方向的距離，

-電極和基材-載體組件之間的最短、最長、中位數(shù)、平均或其他預定的距離，

-任何其他預定的計算方法所得的距離。