[發(fā)明專利]調(diào)整向等離子體供電的電源的輸出功率的方法、等離子體設(shè)備以及電源在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980097851.3 | 申請日: | 2019-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN115427605A | 公開(公告)日: | 2022-12-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | J·斯維亞特尼基;K·魯達;M·維奧斯納;G·托奇洛夫斯基;陳佳磊 | 申請(專利權(quán))人: | 通快許廷格有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 周家新 |
| 地址: | 波蘭*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 調(diào)整 等離子體 供電 電源 輸出功率 方法 設(shè)備 以及 | ||
1.一種調(diào)整向等離子體室(2、2')中的等離子體(15、15')供電的電源(10、10')的輸出功率的方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
a.將所述電源(10、10')與所述等離子體室(2、2')中的至少一個電極(11、11'、12、12')相連接,
b.使用基材載體(4、4')將一個或更多個基材(3、3a、3b、3')相對于所述電極(11、11'、12、12')運送,
c.通過電力維持所述等離子體(15、15'),
d.借助于所述等離子體(15、15')處理所述基材(3、3a、3b、3'),
e.根據(jù)與所述電極(11、11'、12、12')的面向基材-載體組件(5、5')的表面和所述基材-載體組件(5、5')的面向電極(11、11'、12、12')的表面之間的距離(d)相關(guān)的參數(shù)調(diào)整功率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,測量所述電極(11、11'、12、12')和所述基材-載體組件(5、5')之間的距離(d)以及與所述距離相關(guān)的參數(shù)。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法,其特征在于,與所述基材-載體組件(5、5')和所述電極(11、11'、12、12')之間的距離相關(guān)的參數(shù)被輸入到所述電源(10、10')內(nèi)的控制器(19、19'),其中,輸出功率由所述控制器(19、19')調(diào)整。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法,其特征在于,所述電源(10、10')提供交流電、特別是頻率在0.1kHz和200kHz之間的交流電。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法,其特征在于,根據(jù)所述電極(11、11'、12、12')和所述基材(3、3a、3b、3')的相對位置調(diào)整所述電源(10、10')的輸出功率。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法,其特征在于,以階梯方式、線性方式、或根據(jù)給定的函數(shù)來調(diào)整輸出功率。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法,其特征在于,根據(jù)攜帶一個或更多個基材(3、3a、3b、3')的載體(4、4')的位置調(diào)整輸出功率。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法,其特征在于,與所述基材(3、3a、3')和/或所述基材-載體組件(5、5')的形貌相關(guān)的信息被確定。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法,其特征在于,功率的調(diào)整與所述基材載體的位置(4、4')同步。
10.一種等離子體設(shè)備(1、1'),其特征在于,所述等離子體設(shè)備包括:
a.等離子體室(2、2'),
b.位于所述等離子體室(2、2')內(nèi)的至少一個電極(11、11'、12、12'),
c.至少一個電源(10、10'),其與所述電極(11、11'、12、12')連接并配置為能夠向所述電極(11、11'、12、12')供電,以維持等離子體(15、15')在所述等離子體室(2、2')中處理一個或更多個基材(3、3a、3b、3'),
d.基材載體(4、4'),其用于將所述一個或更多個基材(3、3a、3')相對于所述至少一個電極(11、11'、12、12')運送,
e.控制器(19、19'),其用于根據(jù)與所述至少一個電極(11、11'、12、12')和基材-載體組件(5、5')的面向所述電極(11、11'、12、12')的表面之間的距離(d)相關(guān)的參數(shù)控制所述電源(10、10')的輸出功率。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子體設(shè)備,其特征在于,所述等離子體設(shè)備設(shè)置有用于測量所述基材-載體組件(5、5')的表面和所述電極的表面之間的距離(d)的傳感器(17、17')。
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C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
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