[發(fā)明專利]半導體裝置以及電力變換裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980097670.0
• 申請日: 2019-06-26
• 公開（公告）號: CN114008776A
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發(fā)明（設計）人: 森崎翔太;岡誠次
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/48;H01L25/18;H02M7/48
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 李今子

半導體裝置(101)具備第1電源端子(1)、第2電源端子(2)以及輸出端子(3)和連接于第1電源端子與輸出端子之間的第1開關元件(51a～51c)以及連接于第2電源端子與輸出端子之間的第2開關元件(61a～61c)。第1電源端子包括在X方向上與第2電源端子隔開間隔對置的第1對置部(12)、在Z方向上與第2電源端子隔開間隔對置的第2對置部(13、14)以及在Z方向上與第2對置部(13)隔開間隔對置的第3對置部(11b)。第1對置部以及第2對置部被設置成在通電時在和在第2電源端子中與第1對置部以及第2對置部的各個對置部對置的部分相反的方向上流過電流。第2對置部以及第3對置部被設置成在通電時在相互相反的方向上流過電流。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體裝置以及電力變換裝置。

背景技術

以往，作為在電力變換裝置中使用的半導體裝置，提出了在半導體材料中使用碳化硅(SiC)的半導體裝置。在這樣的半導體裝置中，相比于在半導體材料中使用硅(Si)的半導體裝置，開關速度更快，所以在截止動作時電流迅速地減少而開關損耗被降低，但另一方面，開關時的浪涌電壓增加。

因此，已知為了降低浪涌電壓，正極端子以及負極端子的各一部分構成為相互層疊的平行平板區(qū)域的半導體裝置(參照例如專利文獻1)。在這樣的半導體裝置中，在層疊的2個平行平板區(qū)域的一方中流過與另一方相反的方向的電流，所以正極端子以及負極端子的電感被降低。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2013-222885號公報

發(fā)明內容

然而，在專利文獻1記載的半導體裝置中，正極端子以及負極端子僅具有相互對置的部分、并且該對置的部分僅具有在上下方向對置的第1平板區(qū)域和在第1平板區(qū)域的長度方向對置的彎曲區(qū)域。

在上述半導體裝置中，在正極端子以及負極端子相互對置的部分被限制，所以難以實現(xiàn)開關速度的進一步高速化并且抑制與其相伴的浪涌電壓增大。

本發(fā)明的主要的目的在于提供能夠相比于以往的半導體裝置，實現(xiàn)針對半導體裝置的開關速度的進一步高速化并且抑制與其相伴的浪涌電壓增大的半導體裝置以及電力變換裝置。

本發(fā)明所涉及的半導體裝置具備第1電源端子、第2電源端子以及輸出端子和連接于第1電源端子與輸出端子之間的至少1個第1開關元件以及連接于第2電源端子與輸出端子之間的至少1個第2開關元件。第1電源端子包括在第1方向上與第2電源端子隔開間隔配置并且沿著與第1方向交叉的第2方向配置的第1對置部、在第2方向上與第2電源端子隔開間隔配置并且沿著第1方向配置的第2對置部以及在第2方向上與第2對置部隔開間隔配置并且沿著第1方向配置的第3對置部。第1對置部以及第2對置部被設置成在通電時在和在第2電源端子中與第1對置部以及第2對置部的各個對置部對置的部分相反的方向上流過電流。第2對置部以及第3對置部被設置成在通電時在相互相反的方向上流過電流。

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供能夠相比于以往的半導體裝置，實現(xiàn)針對半導體裝置的開關速度的進一步高速化并且抑制與其相伴的浪涌電壓增大的半導體裝置以及電力變換裝置。

附圖說明

圖1是實施方式1所涉及的半導體裝置的立體圖。

圖2是圖1所示的第1電源端子以及第2電源端子的分解立體圖。

圖3是圖1所示的第1電源端子以及第2電源端子的側面圖。

圖4是圖1所示的第1電源端子以及第2電源端子的底面圖。

圖5是圖1所示的第1電源端子的底面圖。

圖6是圖1所示的第2電源端子的底面圖。

圖7是實施方式2所涉及的半導體裝置的立體圖。