[發(fā)明專利]用于檢查存儲(chǔ)器裝置的擦除階段的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980096960.3
• 申請(qǐng)日: 2019-05-31
• 公開（公告）號(hào): CN113906508A
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·特羅亞;A·蒙代洛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): G11C7/04
• 分類號(hào): G11C7/04;G11C16/16;G11C16/26;G11C16/34
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本公開涉及一種包含至少一存儲(chǔ)器單元陣列和相關(guān)聯(lián)解碼和感測(cè)電路系統(tǒng)和存儲(chǔ)器控制器的非易失性存儲(chǔ)器裝置，以及一種用于檢查所述非易失性裝置的擦除階段的方法；所述方法包括：執(zhí)行至少一存儲(chǔ)器塊的動(dòng)態(tài)擦除操作；將所述動(dòng)態(tài)擦除操作的至少內(nèi)部塊變量和/或已知模式存儲(chǔ)于虛設(shè)行中。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開大體上涉及存儲(chǔ)器裝置，并且更具體地說，涉及用于設(shè)置集成式存儲(chǔ)器電路的操作參數(shù)的方法。

更具體地說，本公開涉及用于自修整存儲(chǔ)器裝置的操作參數(shù)并且用于檢查存儲(chǔ)器裝置的擦除階段的方法。

背景技術(shù)

存儲(chǔ)器裝置在電子領(lǐng)域眾所周知用以存儲(chǔ)數(shù)字信息并且允許存取數(shù)字信息。一般來說，不同類別的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可并入到包含非易失性存儲(chǔ)器組件以及易失性存儲(chǔ)器組件的更復(fù)雜系統(tǒng)中，例如并入到其中嵌入上述存儲(chǔ)器組件的所謂的片上系統(tǒng)(SoC)中。

然而，現(xiàn)如今，汽車應(yīng)用對(duì)實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)的需求要求SoC不斷地提高其性能和效率，已知解決方案不再能滿足這些需求。

非易失性存儲(chǔ)器可通過在不被供電時(shí)仍保持所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)來提供永久數(shù)據(jù)并且可包含NAND快閃存儲(chǔ)器或NOR快閃存儲(chǔ)器等等。NAND快閃還具有減少的擦除和寫入次數(shù)，且每單元需要較少的芯片面積，因此允許比NOR快閃更大的存儲(chǔ)密度和每位更低的成本。

快閃存儲(chǔ)器的一個(gè)重要特征是如下事實(shí)：其可被成塊地擦除，而不是一次一個(gè)字節(jié)地擦除。然而，快閃存儲(chǔ)器的一個(gè)關(guān)鍵缺點(diǎn)是其在特定塊中僅可經(jīng)歷相對(duì)少的數(shù)目的寫入和擦除循環(huán)。

快閃存儲(chǔ)器裝置可包含用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的常被組織成行和列的大存儲(chǔ)器單元陣列。個(gè)別存儲(chǔ)器單元和/或存儲(chǔ)器單元范圍可通過其行和列定址。當(dāng)存儲(chǔ)器陣列經(jīng)定址時(shí)，可存在一或多個(gè)地址轉(zhuǎn)譯層，以例如在主機(jī)裝置(即，SoC)利用的邏輯地址與對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)器陣列中的方位的物理地址之間進(jìn)行轉(zhuǎn)譯。

雖然不常見，但在其命令/地址總線上提供給存儲(chǔ)器裝置的地址信息仍有可能由于錯(cuò)誤而受損，使得可對(duì)不同于被主機(jī)裝置或存儲(chǔ)器裝置的控制器定為目標(biāo)的物理地址的物理地址執(zhí)行存儲(chǔ)器裝置的內(nèi)部操作(例如，讀取操作、寫入操作、擦除操作等)。

因此，需要用以驗(yàn)證已在預(yù)期地址處執(zhí)行存儲(chǔ)器操作的方式，且本公開聚焦于檢查讀取階段的正確性的方法。

附圖說明

圖1示出包含存儲(chǔ)器組件的系統(tǒng)的示意圖，所述存儲(chǔ)器組件和與存儲(chǔ)器裝置交換數(shù)據(jù)、地址和控制信號(hào)的控制器相關(guān)聯(lián)；

圖2是根據(jù)本公開的存儲(chǔ)器組件的示意圖；

圖3是根據(jù)本公開的實(shí)施例的存儲(chǔ)器組件的實(shí)例的示意性布局圖；

圖4是根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的由存儲(chǔ)器陣列的多個(gè)行形成的存儲(chǔ)器塊的示意圖；

圖5是用于本公開的存儲(chǔ)器組件中的存儲(chǔ)器頁的地址寄存器群組的示意圖；

圖6示出良好擦除/編程單元(1位/單元)的分布的示意圖；

圖7示出對(duì)應(yīng)于圖6的圖式，其報(bào)告歸因于老化、溫度和應(yīng)力引起的朝向耗減狀態(tài)(負(fù)Vth)移位的擴(kuò)大分布；

圖8示出本公開的方法步驟的實(shí)例的框圖。

具體實(shí)施方式

在以下詳細(xì)描述中，參考附圖，附圖形成本發(fā)明的一部分且其中借助于圖示展示了特定實(shí)施例。在圖式中，遍及若干視圖，相同的標(biāo)號(hào)描述大體上相似的組件。在不脫離本公開的范圍的情況下可公開其它實(shí)施例，且可以做出結(jié)構(gòu)、邏輯和電改變。因此，不應(yīng)按限制性意義來看待以下詳細(xì)描述。

本公開的數(shù)個(gè)實(shí)施例針對(duì)于用于以下目的的存儲(chǔ)器裝置、包含存儲(chǔ)器裝置的系統(tǒng)和操作存儲(chǔ)器裝置的方法：避免在存儲(chǔ)器操作期間出現(xiàn)老化、溫度和工藝漂移的潛在問題。