[發明專利]導電性構件的制造方法

有效

• 申請號: 201980095770.X
• 申請日: 2019-04-26
• 公開（公告）號: CN113728401B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: 吉田友秀;武藤功甫
• 申請（專利權）人: 花王株式會社
• 主分類號: H01B1/22
• 分類號: H01B1/22;C09D11/52
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;陳明霞

1.一種導電性構件的制造方法，其中，

將含有金屬微粒分散體的導電性油墨涂布于基材上，在常溫環境下形成導電性圖像而得到導電性構件，

該金屬微粒分散體含有用聚合物B分散的金屬微粒a，

該聚合物B的玻璃化轉變溫度為形成導電性圖像的溫度以下，

該基材的表面為多孔質。

2.根據權利要求1所述的導電性構件的制造方法，其中，

所述聚合物B為包含源自(甲基)丙烯酸的結構單元及源自(甲基)丙烯酸的聚亞烷基二醇單酯的結構單元的水溶性乙烯基聚合物。

3.根據權利要求1或2所述的導電性構件的制造方法，其中，

所述聚合物B的玻璃化轉變溫度為-100℃以上且10℃以下。

4.根據權利要求1或2所述的導電性構件的制造方法，其中，

作為所述聚合物B相對于所述金屬微粒分散體中的所述聚合物B和金屬的合計量的質量比的聚合物B/(聚合物B+金屬)為0.01以上且0.3以下。

5.根據權利要求1或2所述的導電性構件的制造方法，其中，

所述導電性油墨中的金屬的含量為1質量％以上且30質量％以下。

6.根據權利要求1或2所述的導電性構件的制造方法，其中，

所述導電性油墨中的金屬的含量為5質量％以上且20質量％以下。

7.根據權利要求1或2所述的導電性構件的制造方法，其中，

所述導電性油墨含有羥基酮。

8.根據權利要求7所述的導電性構件的制造方法，其中，

所述羥基酮為單羥基丙酮。

9.根據權利要求7所述的導電性構件的制造方法，其中，

所述導電性油墨中的所述羥基酮的含量為0.05質量％以上且10質量％以下。

10.根據權利要求1或2所述的導電性構件的制造方法，其中，

所述導電性油墨含有碳原子數為1以上且24以下的單羧酸。

11.根據權利要求1或2所述的導電性構件的制造方法，其中，

所述導電性油墨含有碳原子數為1以上且6以下的單羧酸。

12.根據權利要求10所述的導電性構件的制造方法，其中，

所述單羧酸為乙酸。

13.根據權利要求10所述的導電性構件的制造方法，其中，

所述導電性油墨中的單羧酸的含量為0.05質量％以上且10質量％以下。

14.根據權利要求1或2所述的導電性構件的制造方法，其中，

基材表面的多孔質的平均孔徑為10nm以上且200nm以下。

15.根據權利要求1或2所述的導電性構件的制造方法，其中，

基材表面的多孔質的平均孔徑為30nm以上且100nm以下。

16.根據權利要求1或2所述的導電性構件的制造方法，其中，

所述基材為在支撐體的表面形成有無機微粒含有層的基材。

17.根據權利要求1或2所述的導電性構件的制造方法，其中，

所述基材表面的8°光澤值為20以上且50以下。

18.根據權利要求1或2所述的導電性構件的制造方法，其中，

所述基材表面的8°光澤值為20以上且40以下。