[發明專利]一種磁膜電感、裸片以及電子設備

有效

• 申請號: 201980095458.0
• 申請日: 2019-04-16
• 公開（公告）號: CN113692645B
• 公開（公告）日: 2023-09-12
• 發明（設計）人: 龔順強;鄒鵬
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522
• 代理公司: 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙) 44285
• 代理人: 閔晶晶

一種磁膜電感、裸片以及電子設備，該磁膜電感包括下磁膜(302)、上磁膜(303)、支撐件(307)、絕緣介質(305)以及至少一個金屬線圈(304)，絕緣介質(305)背離下磁膜(302)的表面上還設置有支撐件(307)，支撐件(307)用于將上磁膜(303)支撐固定于下磁膜(302)的表面上；絕緣介質(305)朝向上磁膜(303)的端面凹設有磁通槽(306)，支撐件(307)端部延伸至磁通槽(306)內設置，且位于磁通槽(306)內部的支撐件(307)的外表面(601)的面積大于磁通槽(306)的目標側壁(602)的面積，目標側壁(602)為磁通槽(306)與支撐件(307)相連的側壁。因支撐件(307)的端部夠延伸至磁通槽(306)內設置，則使得上磁膜(303)只需要覆蓋支撐件(307)的表面即可，無需覆蓋支撐件(307)和絕緣介質(305)之間的過渡區域，則避免了上磁膜(303)無法保障在該過渡區域均勻覆蓋的弊端。

技術領域

本申請涉及電感技術領域，尤其涉及一種磁膜電感、裸片以及電子設備。

背景技術

現有技術提供了一種裸片，該裸片可集成有磁膜電感，以實現大幅度的提高裸片效率和降低功耗的目的。

在現有的磁膜電感與裸片的整合集成的方案中，一塊裸片上可集成有多個磁膜電感，磁膜電感包括有磁通槽，磁通槽的側壁的角度比較陡，導致磁膜電感所包括的上磁膜在磁通槽側壁所覆蓋的厚度不均勻，因在制成磁膜電感的過程中，無法保障不同的磁膜電感的上磁膜在磁通槽側壁的覆蓋率，進而使得同一裸片內不同的磁膜電感的電感感量的均勻性很差，且電感飽和特性變化也比較大，從而造成良率損失。

發明內容

本申請提供了一種磁膜電感、裸片以及電子設備，其用于有效的提升了磁膜電感的良率以及滿足對磁膜電感使用的性能需求。

本申請實施例第一方面提供了一種磁膜電感，該磁膜電感設置于裸片上，包括下磁膜、上磁膜、支撐件、絕緣介質以及至少一個金屬線圈，所述金屬線圈與設置在裸片上的半導體器件電連接；所述下磁膜的表面上設置有所述絕緣介質，所述絕緣介質背離所述下磁膜的表面上設置有所述金屬線圈，所述絕緣介質用于電性隔離所述金屬線圈和所述下磁膜，所述絕緣介質背離所述下磁膜的表面上還設置有所述支撐件，所述支撐件用于將所述上磁膜支撐固定于所述下磁膜的表面上；所述絕緣介質朝向所述上磁膜的端面凹設有磁通槽，所述支撐件端部延伸至所述磁通槽內設置，且位于所述磁通槽內部的所述支撐件的外表面的面積大于所述磁通槽的目標側壁的面積，所述目標側壁為所述磁通槽與所述支撐件相連的側壁。

采用本方面所示的磁膜電感，因所述支撐件的端部夠延伸至所述磁通槽內設置，則使得所述上磁膜只需要覆蓋所述支撐件的表面即可，無需覆蓋支撐件和所述絕緣介質之間的過渡區域，則避免了上磁膜無法保障在該過渡區域均勻覆蓋的弊端，而且在所述磁通槽內部，所述支撐件的外表面的面積大于所述磁通槽的目標側壁的面積，則相對于現有技術在磁通槽的側壁上直接覆蓋所述上磁膜的方案，本方面所示能夠有效的提高上磁膜在所述磁通槽內部的覆蓋率，從而提高了磁膜電感的電感感量，以使磁膜電感具有較高的電感的磁飽和特性。

基于本申請實施例第一方面所示，本申請實施例第一方面的一種可選的實現方式中，在所述磁通槽的內部，過渡角的角度小于連接角的角度，所述過渡角為所述支撐件背離所述絕緣介質的側壁與水平面之間所形成的夾角，所述連接角為所述磁通槽的側壁與水平面之間所形成的夾角。

因所述過渡角相對于所述連接角而言，所述連接角比較陡，而所述過渡角相對平緩，則使得在所述上磁膜覆蓋在所述支撐件的外壁的情況下，有效的提高了所述上磁膜在所述支撐件表面的覆蓋率以及覆蓋的均勻性。

基于本申請實施例第一方面所示，本申請實施例第一方面的一種可選的實現方式中，所述過渡角的表面覆蓋設置有所述支撐件。