[發(fā)明專利]一種磁膜電感、裸片以及電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980095458.0
• 申請(qǐng)日: 2019-04-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113692645B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-09-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龔順強(qiáng);鄒鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/522
• 分類號(hào): H01L23/522
• 代理公司: 深圳市深佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44285
• 代理人: 閔晶晶

1.一種磁膜電感，設(shè)置在裸片上，其特征在于，包括下磁膜、上磁膜、支撐件、絕緣介質(zhì)以及至少一個(gè)金屬線圈，所述金屬線圈與設(shè)置在裸片上的半導(dǎo)體器件電連接；

所述下磁膜的表面上設(shè)置有所述絕緣介質(zhì)，所述絕緣介質(zhì)背離所述下磁膜的表面上設(shè)置有所述金屬線圈，所述絕緣介質(zhì)用于電性隔離所述金屬線圈和所述下磁膜，所述絕緣介質(zhì)背離所述下磁膜的表面上還設(shè)置有所述支撐件，所述支撐件用于將所述上磁膜支撐固定于所述下磁膜的表面上；

所述絕緣介質(zhì)朝向所述上磁膜的端面凹設(shè)有磁通槽，所述支撐件端部延伸至所述磁通槽內(nèi)設(shè)置，且位于所述磁通槽內(nèi)部的所述支撐件的外表面的面積大于所述磁通槽的目標(biāo)側(cè)壁的面積，所述目標(biāo)側(cè)壁為所述磁通槽與所述支撐件相連的側(cè)壁。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁膜電感，其特征在于，在所述磁通槽的內(nèi)部，過(guò)渡角的角度小于連接角的角度，所述過(guò)渡角為所述支撐件背離所述絕緣介質(zhì)的側(cè)壁與水平面之間所形成的夾角，所述連接角為所述磁通槽的側(cè)壁與水平面之間所形成的夾角。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁膜電感，其特征在于，所述過(guò)渡角的表面覆蓋設(shè)置有所述上磁膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的磁膜電感，其特征在于，所述磁通槽的底部為氣隙，所述氣隙為位于所述磁通槽內(nèi)部的絕緣材質(zhì)構(gòu)成，沿所述磁膜電感的豎向方向，所述氣隙的厚度小于所述絕緣介質(zhì)的厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的磁膜電感，其特征在于，沿所述磁膜電感的豎向方向，所述絕緣介質(zhì)的側(cè)壁呈第一臺(tái)階結(jié)構(gòu)，所述第一臺(tái)階結(jié)構(gòu)的上表面以及所述第一臺(tái)階結(jié)構(gòu)的側(cè)壁均覆蓋設(shè)置有所述支撐件。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁膜電感，其特征在于，所述第一臺(tái)階結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與所述上磁膜之間具有過(guò)渡間隙，所述支撐件的端部沿所述過(guò)渡間隙的導(dǎo)向延伸至所述磁通槽內(nèi)部。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁膜電感，其特征在于，沿所述磁膜電感的豎向方向，所述支撐件朝向所述絕緣介質(zhì)的側(cè)壁呈第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)，所述第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)與所述第一臺(tái)階結(jié)構(gòu)相貼合設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁膜電感，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)包括第一子層和第二子層，所述第一子層和所述第二子層均由無(wú)機(jī)材料沉積而成，其中，所述第一子層沉積于所述下磁膜的表面上，所述第二子層沉積于所述第一子層的表面；

所述磁通槽由在化學(xué)機(jī)械拋光CMP處理后的所述第一子層的表面進(jìn)行刻蝕形成，且所述磁通槽內(nèi)的所述氣隙為所述第二子層沉積而成。

9.一種裸片，其特征在于，包括裸片和設(shè)置在所述裸片上的磁膜電感，所述磁膜電感如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所示。

10.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括裸片和設(shè)置在所述裸片上的磁膜電感，所述磁膜電感如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所示。