[發明專利]成膜掩模的制造方法

在審

• 申請號: 201980094895.0
• 申請日: 2019-04-01
• 公開（公告）號: CN113646461A
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發明（設計）人: 崎尾進;岸本克彥
• 申請（專利權）人: 堺顯示器制品株式會社
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;H01L27/32;H01L51/50;H05B33/10
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 王娟;郝家歡

1.一種成膜掩模的制造方法，該成膜掩模具有：框架；掩模基材，其以被拉伸的狀態固定設于所述框架；以及多個開口部，其設置于所述掩模基材的有源區域形成部，排列為具有m行n列的矩陣狀，所述成膜掩模的制造方法的特征在于，具備：

工序A，準備初始狀態的掩模基材，所述初始狀態的掩模基材以規定的條件被拉伸的狀態下固定于所述框架，使得能夠規定xy面；

工序B，準備所確定的所述多個開口部的每一個在xy面中的位置的目標坐標數據；

工序C，對所述多個開口部的每一個，預測因形成開口部而產生的從所述目標坐標數據位移的位移量，生成減少所述位移量的校正數據；以及

工序D，在基于所述目標坐標數據和所述校正數據確定的位置上形成所述多個開口部的每一個，

在所述工序C中，關于所述多個開口部的每一個的所述校正數據與形成所述多個開口部的順序相關聯，且

在所述工序D中，所述多個開口部按照所述順序形成。

2.如權利要求1所述的成膜掩模的制造方法，其特征在于，所述工序C包括工序CS，該工序CS通過使用有限元法的模擬，求出根據形成所述多個開口部的順序來形成開口部時的所述掩模基材的整體的應變分布，基于此預測所述多個開口部的每一個的位移量，生成所述校正數據，

所述工序CS包括：

工序CS1，基于即將形成第k個開口部之前的所述掩模基材的整體的應變分布，求出要形成第k個開口部的所述掩模基材上的位置的位移量D1(k)；

工序CS2，基于形成有所述多個開口部的全部之后的所述掩模基材的整體的應變分布，求出要形成第k個開口部的所述掩模基材上的位置的位移量D2(k)；以及

工序CS3，從D1(k)以及D2(k)求出所述第k個開口部的校正數據C(k)。

3.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述工序CS中，預先提供用于求出所述初始狀態的所述掩模基材的整體的應變分布的初始參數，所述初始參數為楊氏模量Yx⁰、Yy⁰、剪切彈性模量Gxy⁰、泊松比Pxy⁰、密度ρ⁰、張力Tx⁰、Ty⁰、尺寸Lx0、Ly⁰、Lz⁰。

4.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述工序C在所述工序CS中包含求出用于求出所述初始狀態的所述掩模基材的整體的應變分布的初始參數中的至少Lz⁰在xy面中的分布的工序CSP，所述初始參數為楊氏模量Yx⁰、Yy⁰、剪切彈性模量Gxy⁰、泊松比Pxy⁰、密度ρ⁰、張力Tx⁰、Ty⁰、尺寸Lx0、Ly⁰、Lz⁰，

所述工序CSP還包括：工序CSP1，通過使用有限元法的模擬，求出按照形成所述多個開口部的順序，以與所述多個開口部中的每一個分別對應的方式，形成具有所述掩模基材的厚度的40％以下的深度d的多個凹部時的所述掩模基材的整體的應變分布；

工序CSP2，對形成的所述多個凹部的位置進行測定；

工序CSP3，對基于在所述工序CSP1中得到的應變分布而求出的所述多個凹部的每一個的位移量D^P與根據在所述工序CSP2中得到的所述多個凹部的位置而求出的所述多個凹部的每一個的位移量D^M進行比較；以及

工序CSP4，基于通過所述工序CSP3得到的比較結果，以使所述位移量D^P與所述位移量D^M之差變小的方式，求得所述初始參數內、Lz⁰在xy面中的分布。