[發明專利]使用半導體發光元件的顯示裝置有效
| 申請號: | 201980093620.5 | 申請日: | 2019-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN113519060B | 公開(公告)日: | 2023-08-11 |
| 發明(設計)人: | 崔主贊 | 申請(專利權)人: | LG電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L27/12;H01L29/786;H01L33/42;H01L33/62 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲;向勇 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 半導體 發光 元件 顯示裝置 | ||
本發明的實施例的顯示裝置包括:基板;電源配線和接地配線,在所述基板上以彼此隔開的方式形成;驅動TFT,形成在所述基板上,其源極端子與所述接地配線電連接;至少一個絕緣層,形成在所述基板上;以及一對組裝電極,在所述至少一個絕緣層中的任意一個絕緣層和所述基板之間以彼此隔開的方式形成,隨著向所述一對組裝電極中的任意一個組裝電極施加電壓,所述一對組裝電極產生電場。
技術領域
本發明涉及使用半導體發光元件的顯示裝置。
背景技術
近年來,在顯示器技術領域已經開發出具有薄度、柔性等優異的特性的顯示裝置。另一方面,目前商業化的主要顯示器以液晶顯示器(LCD:Liguid?Crystal?Display)和有源矩陣有機發光二極管(AMOLED:Active?Matrix?Organic?Light?Emitting?Diodes)為代表。
然而,在LCD的情況下,存在有響應時間不快、難以實現柔性化的問題,而在AMOLED的情況下,存在有壽命短、批量生產率低的缺點。
同時,發光二極管(Light?Emitting?Diode:LED)作為眾所周知的將電流轉換為光的半導體發光元件,其從1962年使用GaAsP化合物半導體的紅色LED被商品化開始,一直與GaP:N系列的綠色LED一起用作包括信息通信設備在內的電子裝置的用于顯示圖像的光源。因此,可以提出通過使用所述半導體發光元件實現顯示器來解決上述問題的方案。與基于燈絲的發光元件相比,這種發光二極管具有各種優點,例如壽命長、功耗低、優異的初始驅動特性以及高抗振性等。
同時,在使用半導體發光元件的顯示器的情況下,由于在轉印(transfer)工藝中需要將對應于每個像素的半導體發光元件結合于基板,因而實現大屏幕高像素顯示器可能相對較難。因此,近年來開發了一種自組裝方法,在該方法中,利用電磁場將投入到流體內的半導體發光元件移動到基板,然后進行組裝。
發明內容
發明所要解決的問題
本發明所要解決的課題在于,提供一種利用自組裝方法實現了用于在顯示面板上實現的組裝電極的有效的配線工藝的顯示裝置。
解決問題的技術方案
本發明的實施例的顯示裝置包括:基板;電源配線和接地配線,在所述基板上以彼此隔開的方式形成;驅動TFT,形成在所述基板上,其源極端子與所述接地配線電連接;至少一個絕緣層,形成在所述基板上;以及一對組裝電極,在所述至少一個絕緣層中的任意一個絕緣層和所述基板之間以彼此隔開的方式形成,隨著向所述一對組裝電極中的任意一個組裝電極施加電壓,所述一對組裝電極產生電場。
所述一對組裝電極中的第一組裝電極可以與所述電源配線電連接,所述一對組裝電極中的第二組裝電極可以與所述接地配線電連接。
根據實施例,所述一對組裝電極可以形成在所述基板上,所述第一組裝電極可以從所述電源配線延伸形成,所述第二組裝電極可以從所述接地配線延伸形成。
根據實施例,所述至少一個絕緣層可以包括覆蓋所述基板、所述電源配線以及所述接地配線的第一絕緣層,所述第一組裝電極、所述第二組裝電極以及所述源極端子可以形成在所述第一絕緣層上,所述第一組裝電極可以通過所述第一絕緣層中的形成在所述電源配線上的蝕刻區域與所述電源配線電連接,所述第二組裝電極可以從所述源極端子延伸形成,并通過所述第一絕緣層中的形成在所述接地配線上的蝕刻區域與所述接地配線電連接。
根據實施例,所述至少一個絕緣層可以包括:所述第一絕緣層;第二絕緣層,覆蓋所述第一絕緣層以及形成在所述第一絕緣層上的所述源極端子;以及第三絕緣層,覆蓋所述第二絕緣層以及形成在所述第二絕緣層上的所述第一組裝電極和所述第二組裝電極,所述第一組裝電極可以通過分別形成于所述電源配線上的所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的蝕刻區域與所述電源配線電連接,所述第二組裝電極可以通過形成于所述接地配線上的所述第二絕緣層的蝕刻區域與所述源極端子和所述接地配線電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





