[發(fā)明專利]使用半導(dǎo)體發(fā)光元件的顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980093620.5
• 申請日: 2019-12-04
• 公開（公告）號: CN113519060B
• 公開（公告）日: 2023-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔主贊
• 申請（專利權(quán)）人: LG電子株式會社
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L27/12;H01L29/786;H01L33/42;H01L33/62
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 崔炳哲;向勇

1.一種顯示裝置，其中，包括：

基板；

電源配線和接地配線，在所述基板上以彼此隔開的方式形成；

驅(qū)動TFT，形成在所述基板上，其源極端子與所述接地配線電連接；

至少一個絕緣層，形成在所述基板上；以及

一對組裝電極，在所述至少一個絕緣層中的任意一個絕緣層和所述基板之間以彼此隔開的方式形成，

隨著向所述一對組裝電極中的任意一個組裝電極施加電壓，所述一對組裝電極產(chǎn)生電場，

所述一對組裝電極中的第一組裝電極與所述電源配線電連接，

所述一對組裝電極中的第二組裝電極與所述接地配線電連接，

所述一對組裝電極形成在所述基板上，

所述第一組裝電極從所述電源配線延伸形成，

所述第二組裝電極從所述接地配線延伸形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，

所述至少一個絕緣層包括第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述基板、所述電源配線以及所述接地配線，

所述第一組裝電極、所述第二組裝電極以及所述源極端子形成在所述第一絕緣層上，

所述第一組裝電極通過所述第一絕緣層中的形成在所述電源配線上的蝕刻區(qū)域與所述電源配線電連接，

所述第二組裝電極從所述源極端子延伸形成，并通過所述第一絕緣層中的形成在所述接地配線上的蝕刻區(qū)域與所述接地配線電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，

所述至少一個絕緣層包括：

第一絕緣層，覆蓋所述基板、所述電源配線以及所述接地配線；

第二絕緣層，覆蓋所述第一絕緣層以及形成在所述第一絕緣層上的所述源極端子；以及

第三絕緣層，覆蓋所述第二絕緣層以及形成在所述第二絕緣層上的所述第一組裝電極和所述第二組裝電極，

所述第一組裝電極通過分別形成于所述電源配線上的所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的蝕刻區(qū)域與所述電源配線電連接，

所述第二組裝電極通過形成于所述接地配線上的所述第二絕緣層的蝕刻區(qū)域與所述源極端子和所述接地配線電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，

還包括組裝在所述至少一個絕緣層上的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

所述半導(dǎo)體發(fā)光元件位于所述一對組裝電極上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，

還包括形成在所述至少一個絕緣層上的分隔壁，

所述分隔壁的一部分區(qū)域被去除，使得所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的底面與所述至少一個絕緣層接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，還包括：

第一配線，將形成于所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的第一電極和所述電源配線電連接；以及

第二配線，將形成于所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的第二電極和所述驅(qū)動TFT的漏極端子電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，

所述第一配線通過蝕刻所述電源配線上的分隔壁和所述至少一個絕緣層而形成的第一溝槽區(qū)域來與所述電源配線電連接，

所述第二配線通過蝕刻所述漏極端子上的分隔壁和所述至少一個絕緣層而形成的第二溝槽區(qū)域來與所述漏極端子電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，

所述第一配線和所述第二配線分別由透明電極實現(xiàn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，

所述半導(dǎo)體發(fā)光元件包括具有磁性體的磁性層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，

所述至少一個絕緣層包括：

第一絕緣層，覆蓋所述基板、所述電源配線以及所述接地配線；

第二絕緣層，覆蓋所述第一絕緣層以及形成在所述第一絕緣層上的所述源極端子；以及

第三絕緣層，形成在所述第二絕緣層上，

所述第一組裝電極和所述第二組裝電極設(shè)置在所述第三絕緣層上。