[發明專利]拾取性的評價方法、切晶粘晶一體型膜、切晶粘晶一體型膜的評價方法及分選方法、以及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201980090551.2
• 申請日: 2019-05-10
• 公開（公告）號: CN113366621B
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發明（設計）人: 田澤強;木村尚弘;大久保惠介;尾崎義信
• 申請（專利權）人: 昭和電工材料株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 白麗

本公開所涉及的拾取性的評價方法包括：準備至少依次具備基材層、壓敏膠黏劑層及厚度10～100μm的晶片的層疊體的工序；將晶片單片化成面積為9mm²以下的多個芯片的工序；從基材層側壓入芯片的中央部的工序；及測定芯片的邊緣從壓敏膠黏劑層剝離時的邊緣剝離強度的工序。

技術領域

本公開涉及一種拾取性的評價方法、切晶粘晶一體型膜、切晶粘晶一體型膜的評價方法及分選方法、以及半導體裝置的制造方法。

背景技術

半導體裝置經過以下的工序而制造。首先，在將切晶用壓敏膠黏劑膜(pressure-sensitive adhesive film)貼附于晶片的狀態下實施切晶工序。之后，實施擴張(expand)工序、拾取(pickup)工序、安裝(mounting)工序及粘晶(die bonding)工序等。

在半導體裝置的制造工藝中，使用被稱為切晶粘晶一體型膜的膜(參考專利文獻1、專利文獻2)。該膜具有依次層疊有基材層、分選方法(pressure-sensitive adhesive)層及膠黏劑(adhesive)層的結構，例如以如下方式使用。首先，在對晶片貼附膠黏劑層側的面并且利用切晶環(dicing ring)將晶片固定的狀態下，對晶片進行切晶。由此，將晶片單片化成多個芯片(chip)。接著，通過對壓敏膠黏劑層照射紫外線而減弱壓敏膠黏劑層相對于膠黏劑層的膠接力(adhesive force)后，將芯片連同膠黏劑層單片化而成的膠黏劑片從壓敏膠黏劑層一并拾取。之后，經過經由膠黏劑片而將芯片安裝于基板等的工序來制造半導體裝置。以下，根據情況將芯片與膠黏劑片的層疊體稱為“帶有膠黏劑片的芯片”。

將如上所述般通過紫外線的照射而膠接力變弱的壓敏膠黏劑層(切晶膜)稱為紫外線(ultraviolet，UV)固化型。相對于此，將在半導體裝置的制造工藝中不照射紫外線而膠接力保持固定的壓敏膠黏劑層稱為感壓型。具備感壓型的壓敏膠黏劑層的切晶粘晶一體型膜具有如下優點：無需由用戶(主要為半導體裝置制造商)實施照射紫外線的工序，而且不需要用于該工序的設備。專利文獻3公開一種切晶粘晶膜，其從壓敏膠黏劑層含有通過紫外線而固化的成分的方面考慮可稱為UV固化型，另一方面，從僅對壓敏膠黏劑層的規定部分預先照射紫外線，用戶無需在半導體裝置的制造工藝中照射紫外線的方面考慮還可稱為感壓型。

以往技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012-069586號公報

專利文獻2：日本特開2014-135469號公報

專利文獻3：日本專利第4443962號公報

發明內容

發明要解決的課題

關于切晶粘晶一體型膜的壓敏膠黏劑層要求在切晶工序中對膠黏劑層及切晶的膠接力高。若壓敏膠黏劑層的膠接力不夠充分，則隨著切晶刀片的高速旋轉而在膠黏劑層與壓敏膠黏劑層之間產生剝離而產生帶有膠黏劑片的芯片飛散的現象(以下，將其稱為“DAF飛散”。DAF為die attach film(芯片粘附膜。)，或者因切割水的水流而產生切晶環從壓敏膠黏劑層剝離的現象(以下，將該現象稱為“環剝離”。)。另一方面，在拾取工序中，從優異的拾取性的觀點考慮，要求壓敏膠黏劑層相對于膠黏劑層的膠接力降低某種程度。若壓敏膠黏劑層的膠接力過強，則帶有膠黏劑片的芯片不從壓敏膠黏劑層剝離而產生拾取不良的現象，或者產生芯片破裂而成品率降低。