[發(fā)明專利]拾取性的評價方法、切晶粘晶一體型膜、切晶粘晶一體型膜的評價方法及分選方法、以及半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980090551.2
• 申請日: 2019-05-10
• 公開（公告）號: CN113366621B
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田澤強(qiáng);木村尚弘;大久保惠介;尾崎義信
• 申請（專利權(quán)）人: 昭和電工材料株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 白麗

1.一種切晶粘晶一體型膜的評價方法，其包括：

(A)準(zhǔn)備作為評價對象的切晶粘晶一體型膜的工序，所述切晶粘晶一體型膜具備基材層、壓敏膠黏劑層及膠黏劑層，所述壓敏膠黏劑層具有與所述基材層相向的第一面及其相反側(cè)的第二面，所述膠黏劑層以覆蓋所述壓敏膠黏劑層的所述第二面的中央部的方式配置；

(B)對所述膠黏劑層粘貼厚度為50μm的硅晶片，并且對所述壓敏膠黏劑層的所述第二面粘貼切晶環(huán)的工序；

(C)將所述硅晶片及所述膠黏劑層單片化成多個帶有膠黏劑片的芯片而得到邊的長度為2mm的正方形的所述帶有膠黏劑片的芯片的工序；及

(D)在溫度23℃下從所述基材層側(cè)以60mm/分鐘的速度壓入所述帶有膠黏劑片的芯片的中央部，并測定所述帶有膠黏劑片的芯片的邊緣從所述壓敏膠黏劑層剝離時的邊緣剝離強(qiáng)度的工序，

所述邊緣剝離強(qiáng)度為1.2N以下時，判定為所述切晶粘晶一體型膜具有良好的拾取性。

2.一種拾取性的評價方法，其包括：

(i)準(zhǔn)備層疊體的工序，所述層疊體依次具備基材層、壓敏膠黏劑層、膠黏劑層、及厚度為50μm的晶片；

(ii)將所述晶片及所述膠黏劑層單片化成多個帶有膠黏劑片的芯片而得到邊的長度為2mm的正方形的所述帶有膠黏劑片的芯片的工序；

(iii)在溫度23℃下從所述基材層側(cè)以60mm/分鐘的速度壓入所述帶有膠黏劑片的芯片的中央部，并測定所述帶有膠黏劑片的芯片的邊緣從所述壓敏膠黏劑層剝離時的邊緣剝離強(qiáng)度的工序，

所述邊緣剝離強(qiáng)度為1.2N以下時，判定為所述帶有膠黏劑片的芯片自所述壓敏膠黏劑層的拾取性良好。

3.一種切晶粘晶一體型膜，其具備：

基材層；

壓敏膠黏劑層，具有與所述基材層相向的第一面及其相反側(cè)的第二面；及

膠黏劑層，以覆蓋所述壓敏膠黏劑層的所述第二面的中央部的方式配置，

經(jīng)過以下工序而測定的邊緣剝離強(qiáng)度為1.2N以下，

＜邊緣剝離強(qiáng)度的測定＞

·對所述膠黏劑層粘貼厚度為50μm的硅晶片，并且對所述壓敏膠黏劑層的所述第二面粘貼切晶環(huán)的工序

·將所述硅晶片及所述膠黏劑層單片化成多個帶有膠黏劑片的芯片而得到邊的長度為2mm的正方形的所述帶有膠黏劑片的芯片的工序

·在溫度23℃下從所述基材層側(cè)以60mm/分鐘的速度壓入所述帶有膠黏劑片的芯片的中央部，并測定所述帶有膠黏劑片的芯片的邊緣從所述壓敏膠黏劑層剝離時的邊緣剝離強(qiáng)度的工序。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的切晶粘晶一體型膜，其應(yīng)用于半導(dǎo)體裝置制造工藝，所述工藝包括：將晶片及膠黏劑層單片化成面積為9mm²以下的多個帶有膠黏劑片的芯片的工序。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的切晶粘晶一體型膜，其中，

在所述單片化的工序中，通過刀片切割而得到所述多個帶有膠黏劑片的芯片。

6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括：

準(zhǔn)備權(quán)利要求3至5中任一項所述的切晶粘晶一體型膜的工序；

對所述切晶粘晶一體型膜的所述膠黏劑層粘貼晶片，并且對所述壓敏膠黏劑層的所述第二面粘貼切晶環(huán)的工序；

將所述晶片及所述膠黏劑層單片化成面積為9mm²以下的多個帶有膠黏劑片的芯片的工序；

從所述壓敏膠黏劑層拾取所述帶有膠黏劑片的芯片的工序；及

將所述帶有膠黏劑片的芯片安裝于基板或其他芯片上的工序。

7.一種切晶粘晶一體型膜的分選方法，其包括：

準(zhǔn)備兩種以上的切晶粘晶一體型膜的工序，所述兩種以上的切晶粘晶一體型膜分別具備基材層、壓敏膠黏劑層及膠黏劑層，所述壓敏膠黏劑層具有與所述基材層相向的第一面及其相反側(cè)的第二面，所述膠黏劑層以覆蓋所述壓敏膠黏劑層的所述第二面的中央部的方式配置，

對所述兩種以上的切晶粘晶一體型膜的邊緣剝離強(qiáng)度分別進(jìn)行測定的工序，

分選所述邊緣剝離強(qiáng)度為1.2N以下的切晶粘晶一體型膜的工序，

經(jīng)過以下工序而測定所述邊緣剝離強(qiáng)度：

·對所述膠黏劑層粘貼厚度為50μm的硅晶片，并且對所述壓敏膠黏劑層的所述第二面粘貼切晶環(huán)的工序

·將所述硅晶片及所述膠黏劑層單片化成多個帶有膠黏劑片的芯片而得到邊的長度為2mm的正方形的所述帶有膠黏劑片的芯片的工序

·在溫度23℃下從所述基材層側(cè)以60mm/分鐘的速度壓入所述帶有膠黏劑片的芯片的中央部，并測定所述帶有膠黏劑片的芯片的邊緣從所述壓敏膠黏劑層剝離時的邊緣剝離強(qiáng)度的工序。