[發明專利]具有雙晶體管豎直存儲器單元的存儲器裝置

在審

• 申請號: 201980090134.8
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN113330565A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: S·普盧居爾塔;D·V·N·拉馬斯瓦米
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 彭曉文

一些實施例包含設備和形成所述設備的方法。所述設備中的一個包含存儲器單元、第一、第二和第三數據線及第一和第二存取線。所述第一數據線電耦合到第一晶體管的第一溝道區。所述第二數據線電耦合到所述第一溝道區。所述第三數據線電耦合到第二晶體管的第二溝道區，所述第二溝道區電耦合到電荷存儲結構且在所述第一晶體管的電荷存儲結構和所述第三數據線之間。所述第一存取線位于所述設備的第一層級上。所述第二存取線位于所述設備的第二層級上。所述電荷存儲結構位于所述設備的在所述第一和第二層級之間的一層級上。

優先權申請

本申請要求2018年12月26日提交的美國臨時申請第62/785,154號的優先權權益，所述美國臨時申請以全文引用的方式并入本文中。

背景技術

存儲器裝置廣泛地用于計算機和許多其它電子物品中來存儲信息。存儲器裝置通常分類成兩種類型：易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。易失性存儲器裝置的實例包含動態隨機存取存儲器(DRAM)裝置。非易失性存儲器裝置的實例包含快閃存儲器裝置(例如，快閃存儲器棒)。存儲器裝置通常具有存儲信息的許多存儲器單元。在易失性存儲器裝置中，如果供應功率與存儲器裝置斷開連接，那么存儲于存儲器單元中的信息丟失。在非易失性存儲器裝置中，即使供應功率與存儲器裝置斷開連接，存儲于存儲器單元中的信息也保留。

本文中的描述涉及易失性存儲器裝置。最常規易失性存儲器裝置將信息以電荷形式存儲在包含于存儲器單元中的電容器結構中。隨著對裝置存儲密度的需求增加，許多常規技術提供縮小存儲器單元的大小以便增大給定裝置區域的裝置存儲密度的方式。然而，如果存儲器單元大小收縮到某一尺寸，那么物理限制和制造約束可對此類常規技術設置挑戰。不同于一些常規存儲器裝置，本文中所描述的存儲器裝置包含可克服常規技術所面對的挑戰的特征。

附圖說明

圖1示出根據本文中描述的一些實施例的呈包含易失性存儲器單元的存儲器裝置形式的設備的框圖。

圖2示出根據本文中描述的一些實施例的包含雙晶體管(2T)存儲器單元的存儲器陣列的存儲器裝置的一部分的示意圖。

圖3示出根據本文中描述的一些實施例的圖2的存儲器裝置，包含在存儲器裝置的偶數存儲器單元的讀取操作期間使用的實例電壓。

圖4示出根據本文中描述的一些實施例的圖2的存儲器裝置，包含在存儲器裝置的奇數存儲器單元的讀取操作期間使用的實例電壓。

圖5示出根據本文中描述的一些實施例的圖2的存儲器裝置，包含在存儲器裝置的寫入操作期間使用的實例電壓。

圖6示出根據本文中描述的一些實施例的包含每一存儲器單元中的共享讀取/寫入數據線的存儲器裝置的一部分的示意圖。

圖7示出根據本文中描述的一些實施例的包含用于每一存儲器單元的兩個晶體管的共享存取線的存儲器裝置的一部分的示意圖。

圖8示出根據本文中描述的一些實施例的包含每一存儲器單元中的共享讀取/寫入數據線及用于每一存儲器單元的兩個晶體管的共享存取線的存儲器裝置的一部分的示意圖。

圖9示出根據本文中描述的一些實施例的包含每一存儲器單元中的地連接的存儲器裝置的一部分的示意圖。

圖10示出根據本文中描述的一些實施例的包含每一存儲器單元中的地連接及用于每一存儲器單元的兩個晶體管的共享存取線的存儲器裝置的一部分的示意圖。

圖11示出根據本文中描述的一些實施例的存儲器裝置的結構的俯視圖。

圖12A到圖18B示出根據本文中描述的一些實施例的形成圖11的存儲器裝置的過程。

圖19A和圖19B示出根據本文中描述的一些實施例的存儲器裝置的結構的側視圖，其包含耦合到存儲器裝置的每一存儲器單元的地連接。