[發(fā)明專利]具有雙晶體管豎直存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980090134.8
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN113330565A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·普盧居爾塔;D·V·N·拉馬斯瓦米
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 彭曉文

1.一種設(shè)備，其包括：

存儲(chǔ)器單元，其包含：

第一晶體管，其包含電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和與所述電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)電性地分隔開的第一溝道區(qū)；以及

第二晶體管，其包含電耦合到所述電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的第二溝道區(qū)；

第一數(shù)據(jù)線，其電耦合到所述第一溝道區(qū)；

第二數(shù)據(jù)線，其電耦合到所述第一溝道區(qū)；

第三數(shù)據(jù)線，其電耦合到所述第二溝道區(qū)，所述第二溝道區(qū)在所述電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和所述第三數(shù)據(jù)線之間，所述第一、第二和第三數(shù)據(jù)線中的每一個(gè)包含在第一方向上延伸的長度；

第一存取線，其位于所述設(shè)備的第一層級(jí)上且通過第一電介質(zhì)與所述第一溝道分隔開；

第二存取線，其位于所述設(shè)備的第二層級(jí)上且通過第二電介質(zhì)與所述第二溝道分隔開，所述電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)位于所述設(shè)備的在所述第一和第二層級(jí)之間的一層級(jí)上，且所述第一和第二存取線中的每一個(gè)包含在第二方向上延伸的長度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括

額外存儲(chǔ)器單元，其包含：

第一額外晶體管，其包含額外電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)及與所述額外電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)電性地分隔開的第一額外溝道區(qū)；以及

第二額外晶體管，其包含電耦合到所述額外電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的第二額外溝道區(qū)；

第四數(shù)據(jù)線，其電耦合到所述第一額外溝道區(qū)；

第五數(shù)據(jù)線，其電耦合到所述第二額外溝道區(qū)，所述第二額外溝道區(qū)在所述額外電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和所述第五數(shù)據(jù)線之間，所述第四和第五數(shù)據(jù)線包含在所述第一方向上延伸的長度，其中，

所述第一存取線包含跨越所述第一溝道區(qū)的部分和所述第一額外溝道區(qū)的部分的部分；且

所述第二存取線包含跨越所述第二溝道區(qū)的部分和所述第二額外溝道區(qū)的部分的部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括襯底，其中所述存儲(chǔ)器單元位于所述襯底上方，且所述第一存取線和所述襯底之間的距離小于所述電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和所述襯底之間的距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述第一溝道區(qū)電耦合到所述第一額外溝道區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一溝道區(qū)包含：

第一部分，其位于所述電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的第一側(cè)上；

第二部分，其位于所述電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的第二側(cè)上；以及

第三部分，其位于所述電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和所述襯底之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一和第二溝道區(qū)包含不同材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包含半導(dǎo)體材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包含金屬。