[發明專利]多量子阱結構中的蝕刻面

有效

• 申請號: 201980089910.2
• 申請日: 2019-11-21
• 公開（公告）號: CN113330581B
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: P·阿皮拉蒂庫爾;達米安·蘭貝特
• 申請（專利權）人: 斯考皮歐技術有限公司
• 主分類號: H01L29/66
• 分類號: H01L29/66;H01L29/04;H01L29/12;H01L33/04
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 艾佳

示例性多量子阱結構可以包括具有形成在硅平臺中的凹坑的硅平臺、位于凹坑內的芯片、形成在芯片中的第一波導和形成在硅平臺中的第二波導。凹坑可以至少部分地由側壁和基部限定。芯片可以包括第一側面和在第一側面中的第一凹槽。第一側面可以部分地由第一解理或切割面限定。第一凹槽可以部分地由第一蝕刻面限定。第一波導可以被配置為引導光束穿過第一蝕刻面。第二波導可以被配置為引導光束穿過側壁。第二波導可以與第一波導光學對齊。

相關申請的交叉引用

本申請為2019年11月21日提交的申請號為PCT/US2019/062642的PCT申請的國家階段申請，并且該PCT申請要求于2018年11月21日提交的題為“多量子阱結構中的蝕刻面”的美國臨時專利申請No.62/770,532的權益，該申請通過引用整體并入本文。

技術領域

本申請涉及在硅襯底上集成光學和電子的組件和材料。

背景技術

隨著半導體器件的尺寸不斷縮小，在襯底上集成各種組件可能具有挑戰性。生產微米級或納米級特征尺寸的工藝對于制造下一代半導體器件非常重要。

發明內容

本申請涉及在硅襯底上集成光學和電子的組件和材料。實施例可以包括鍵合到硅平臺的芯片。芯片包括一個或多個蝕刻面，以改善設置或沉積在芯片上的接觸金屬、或芯片的有源區域、或兩者、和/或現有或將印刷在硅平臺上的圖案之間的對齊。

實施例可以包括多量子阱結構。在一些實施例中，示例性多量子阱結構可以包括：具有形成在硅平臺中的凹坑的所述硅平臺、位于所述凹坑內的芯片、形成在所述芯片中的第一波導和形成在所述硅平臺中的第二波導。所述凹坑可以至少部分地由側壁和基部限定。所述芯片可以包括第一側面和在所述第一側面中的第一凹槽。所述第一側面可以部分地由第一解理或切割面限定。所述第一凹槽可以至少部分地由第一蝕刻面限定。所述第一波導可以被配置為引導光束穿過所述第一蝕刻面。所述第二波導可以被配置為引導所述光束穿過所述側壁。所述第二波導可以與所述第一波導光學對齊。

在一些實施例中，所述芯片還可以包括第二側面和在所述第二側面中的第二凹槽。所述第二側面可以部分地由第二解理或切割面限定。所述第二解理或切割面可以與所述第一解理或切割面相對。所述第二凹槽可以至少部分地由第二蝕刻面限定。所述第一波導還可以被配置為引導所述光束穿過所述第二蝕刻面。在一些實施例中，所述第一蝕刻面和所述第二蝕刻面相隔開預定距離用以優化器件的性能(例如，提高激光器或調制器的效率)。

在一些實施例中，所述芯片還可以包括第三蝕刻面、第四蝕刻面和從所述第三蝕刻面延伸到所述第四蝕刻面的第三波導。所述第一蝕刻面與所述第二蝕刻面之間的距離可以限定所述第一波導的長度。所述第三蝕刻面與所述第四蝕刻面之間的距離可以限定所述第三波導的長度。所述芯片可以被配置為調制在所述第一波導中傳播的第一光通道的光。所述芯片可以被配置為調制在所述第三波導中傳播的第二光通道的光。基于所述第一光通道的光比所述第二光通道的光具有更長的波長，所述第一波導的長度可以長于所述第三波導的長度。

在一些實施例中，所述芯片還可以包括設置或沉積在所述芯片上的接觸金屬。所述接觸金屬可以包括第一端部和與所述第一端部相對的第二端部。所述接觸金屬的第一端部可以與所述第一蝕刻面基本對齊。所述接觸金屬的第二端部可以與所述第二蝕刻面基本對齊。在一些實施例中，所述接觸金屬可以直接設置或沉積在所述芯片上。

在一些實施例中，所述第一蝕刻面可以位于距所述側壁預定距離處。在一些實施例中，所述第一蝕刻面可以相對于所述側壁以預定角度定向。在一些實施例中，所述第一蝕刻面可以相對于所述側壁或所述第一解理或切割面中的至少一個傾斜。在一些實施例中，所述芯片還可以包括將所述第一波導與所述第二波導光學耦接的連接波導。在一些實施例中，所述第一波導在基本上垂直于所述側壁的縱向方向上延伸。