[發明專利]多量子阱結構中的蝕刻面

有效

• 申請號: 201980089910.2
• 申請日: 2019-11-21
• 公開（公告）號: CN113330581B
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: P·阿皮拉蒂庫爾;達米安·蘭貝特
• 申請（專利權）人: 斯考皮歐技術有限公司
• 主分類號: H01L29/66
• 分類號: H01L29/66;H01L29/04;H01L29/12;H01L33/04
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 艾佳

1.一種光學器件，包括：

硅平臺，具有形成在所述硅平臺中的凹坑，所述凹坑至少部分地由側壁和基部限定；

位于所述凹坑內的芯片，所述芯片包括：

部分地由解理或切割面限定的側面；

所述側面中的凹槽，其中，所述凹槽至少部分地由蝕刻面限定；

形成在所述芯片中的第一波導，其中：

所述第一波導被配置為引導光束沿光路穿過所述蝕刻面；以及

所述蝕刻面相對于所述光路傾斜；

形成在所述硅平臺中的第二波導，其中：

所述第二波導被配置為引導所述光束穿過所述側壁，以及

所述第二波導與所述第一波導光學對齊；以及

從所述芯片的蝕刻面延伸到所述硅平臺的所述側壁的連接波導，所述連接波導被配置為直接將所述第一波導與所述第二波導耦接。

2.根據權利要求1所述的器件，其中：

所述側面是第一側面；

所述解理或切割面是第一解理或切割面；

所述凹槽是第一凹槽；

所述蝕刻面是第一蝕刻面；

所述芯片還包括：

部分地由第二解理或切割面限定的第二側面；和

所述第二側面中的第二凹槽；

所述第二解理或切割面與所述第一解理或切割面相對；

所述第二凹槽至少部分地由第二蝕刻面限定；和

所述第一波導被配置為引導所述光束穿過所述第二蝕刻面。

3.根據權利要求2所述的器件，其中，所述第一蝕刻面與所述第二蝕刻面相隔開預定距離用以優化預定波長的電子吸收。

4.根據權利要求3所述的器件，還包括第三蝕刻面、第四蝕刻面和從所述第三蝕刻面延伸到所述第四蝕刻面的第三波導，其中：

所述第一蝕刻面與所述第二蝕刻面之間的距離限定了所述第一波導的長度；

所述第三蝕刻面與所述第四蝕刻面之間的距離限定了所述第三波導的長度；

所述芯片被配置為調制在所述第一波導中傳播的第一光通道的光；

所述芯片被配置為調制在所述第三波導中傳播的第二光通道的光；以及

基于所述第一光通道的光比所述第二光通道的光具有更長的波長，所述第一波導的長度長于所述第三波導的長度。

5.根據權利要求2所述的器件，還包括設置在所述芯片上的接觸金屬，所述接觸金屬具有第一端部和與所述第一端部相對的第二端部，其中：

所述接觸金屬的第一端部與所述第一蝕刻面基本對齊；以及

所述接觸金屬的第二端部與所述第二蝕刻面基本對齊。

6.根據權利要求5所述的器件，其中，所述接觸金屬直接設置在所述芯片上。

7.根據權利要求1所述的器件，其中，所述蝕刻面位于距所述側壁預定距離處。

8.根據權利要求1所述的器件，其中，所述蝕刻面相對于所述側壁以預定角度定向。

9.根據權利要求1所述的器件，其中，所述蝕刻面相對于所述側壁或所述解理或切割面中的至少一個傾斜。

10.根據權利要求1所述的器件，其中，所述第一波導在基本上垂直于所述側壁的縱向方向上延伸。

11.根據權利要求5所述的器件，其中，所述接觸金屬的第一端部以距所述第一蝕刻面預定距離布置在所述芯片上，所述第一端部距所述蝕刻面的所述預定距離等于或小于8000nm。

12.根據權利要求1所述的器件，其中，所述蝕刻面基本上平行于所述解理或切割面。