[發(fā)明專利]靶、成膜裝置和成膜對象物的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980089825.6 | 申請日: | 2019-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN113330138A | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發(fā)明(設計)人: | 鳥居博典;影山浩二 | 申請(專利權)人: | JSWAFTY公司 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34;C23C14/35;H05H1/46 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人: | 南霆;李有財 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 對象 制造 方法 | ||
本發(fā)明的目的是謀求靶構件的長壽命化。通過將靶(TA2)的構造形成為對稱構造,實現能夠翻轉的結構。由此,即使在等離子體密度較高的等離子體生成部側的靶構件(71)的消耗增大,也能夠通過使靶(TA2)翻轉而將位于等離子體密度較低的成膜對象物側的消耗較少的靶構件(71)的部位再配置于等離子體密度較高的等離子體生成部側。
技術領域
本發(fā)明涉及一種靶、成膜裝置和成膜對象物的制造技術,例如涉及利用等離子體在成膜對象物上形成膜的技術。
背景技術
在日本特開昭59-47728號公報(專利文獻1)中記載了如下技術:通過使利用電子回旋共振現象(Electron Cyclotron Resonance:ECR)產生的等離子體所包含的離子碰撞在靶構件上,使從靶構件飛出的靶粒子粘附于成膜對象物從而在成膜對象物上形成膜。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開昭59-47728號公報
發(fā)明內容
發(fā)明要解決的課題
在濺射技術中,使等離子體所包含的離子碰撞在靶構件上而使從靶構件飛出的靶粒子粘附于成膜對象物,從而在成膜對象物上形成膜。因此,如果反復實施在成膜對象物上形成膜的工序,則消耗靶構件。特別是,由于靶構件經由結合材料而固定于支撐構件,如果靶構件耗盡而使結合材料、支撐構件露出,則離子碰撞在結合材料、支撐構件上而使構成結合材料、支撐構件的粒子飛出,該粒子附著于成膜對象物。這意味著,在形成在成膜對象物上的膜中會導入雜質。因此,需要在靶構件耗盡而露出結合材料、支撐構件之前更換靶構件。關于這點,如果靶構件的更換頻率升高,則成膜裝置的運行成本上升。由此,從抑制運行成本的觀點出發(fā),期望盡量謀求靶構件的長壽命化。
其他課題和新特征根據本說明書的記載及附圖而變得清楚。
用于解決課題的技術方案
一個實施方式中的靶具備形成為筒形狀的靶構件和支撐靶構件的支撐構件。該支撐構件具有經由粘接構件與靶構件相接的壁部。而且,壁部具有以第一厚度形成的第一部位、以比第一厚度厚的第二厚度形成的第二部位和以第一厚度形成的第三部位,第二部位被第一部位和第三部位夾在中間。在此,第一部位和第三部位相對于與筒形狀的中心線正交且將靶構件二等分的假想面呈對稱配置。
一個實施方式中的成膜裝置具備保持成膜對象物的保持部、生成等離子體的等離子體生成部、設置在保持部與等離子體生成部之間的靶以及固定靶的固定部。此時,固定部包括主體部和按壓靶的按壓部。而且,成膜裝置具有與靶的第一部位、靶的第二部位和固定部的按壓部接觸的第一密封構件;與靶的第二部位、靶的第三部位和固定部的主體部接觸的第二密封構件;以及與固定部的主體部和固定部的按壓部接觸的第三密封構件。
一個實施方式中的成膜對象物的制造方法具備如下工序:使用設置在保持第一成膜對象物的保持部與生成等離子體的等離子體生成部之間且由固定部固定的筒形狀的靶,在第一成膜對象物上形成膜(工序(a));以及在工序(a)之后,從保持部卸除第一成膜對象物(工序(b))。接著,一個實施方式中的成膜對象物的制造方法具備如下工序:在工序(b)之后將靶從固定部卸除((c)工序);以及在工序(c)之后,使靶翻轉,并將靶安裝到固定部(工序(d))。接下來,一個實施方式中的成膜對象物的制造方法具備如下工序:在工序(d)之后,利用保持部來保持第二成膜對象物(工序(e));以及在工序(e)之后,使用靶,在第二成膜對象物上形成膜(工序(f))。
發(fā)明效果
根據一個實施方式,能夠謀求靶構件的長壽命化。其結果是,根據一個實施方式,能夠降低成膜裝置的運行成本。
附圖說明
圖1是表示成膜裝置的示意性的結構的圖。
圖2是對成膜動作的流程進行說明的流程圖。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





