[發(fā)明專利]氣體激光裝置、氣體激光裝置的激光的出射方法、以及電子器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980088640.3
• 申請日: 2019-02-20
• 公開（公告）號: CN113287234B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 手井大輔
• 申請（專利權(quán)）人: 極光先進(jìn)雷射株式會社
• 主分類號: H01S3/036
• 分類號: H01S3/036
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 孫明浩;崔成哲

氣體激光裝置也可以具備：腔，該腔內(nèi)被封入激光氣體；窗，其設(shè)置于腔，且供激光透射；光路管，其包圍腔的設(shè)置有窗的位置而與腔連接；氣體供給口，其向光路管內(nèi)供給吹掃氣體；排氣口，其排出光路管內(nèi)的氣體；以及控制部，排氣口包括主排氣口和副排氣口，該主排氣口以使氣體在窗的表面流動的方式設(shè)置于光路管，該副排氣口在光路管內(nèi)的比設(shè)置有窗的位置及設(shè)置有主排氣口的位置靠氣體流動的上游側(cè)設(shè)置于光路管，控制部在從腔出射激光之前使氣體從主排氣口排出，在從腔出射激光的至少部分期間內(nèi)，使氣體從副排氣口排出。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及氣體激光裝置、氣體激光裝置的激光的出射方法、以及電子器件的制造方法。

背景技術(shù)

近年來，在半導(dǎo)體曝光裝置(以下稱為“曝光裝置”)中，隨著半導(dǎo)體集成電路的微細(xì)化及高集成化，要求解像力的提高。因此，從曝光用光源釋放出的光的短波長化正在推進(jìn)。通常，在曝光用光源中，代替以往的汞燈而使用氣體激光裝置。例如，作為曝光用的氣體激光裝置，使用輸出波長為248nm的紫外光的激光的KrF準(zhǔn)分子激光裝置、以及輸出波長為193nm的紫外光的激光的ArF準(zhǔn)分子激光裝置。

作為下一代的曝光技術(shù)，曝光裝置側(cè)的曝光用透鏡與晶圓之間充滿了液體的液浸曝光已得到實際應(yīng)用。在該液浸曝光中，曝光用透鏡與晶圓之間的折射率發(fā)生變化，因此，曝光用光源的表觀的波長進(jìn)行短波長化。在將ArF準(zhǔn)分子激光裝置作為曝光用光源進(jìn)行了液浸曝光的情況下，向晶圓照射水中的波長為134nm的紫外光。將該技術(shù)稱為ArF液浸曝光或者ArF液浸光刻。

KrF準(zhǔn)分子激光裝置及ArF準(zhǔn)分子激光裝置的自然振幅約為350～400pm而較寬。因此，當(dāng)利用透射KrF及ArF激光這樣的紫外光的材料構(gòu)成投影透鏡時，有時會產(chǎn)生色差。其結(jié)果是，解像力可能下降。對此，需要使從氣體激光裝置輸出的激光的光譜線寬窄帶化，直至能夠忽略色差的程度為止。因此，為了使光譜線寬窄帶化，有時在氣體激光裝置的激光諧振器內(nèi)包括具有標(biāo)準(zhǔn)具、光柵等窄帶化元件的窄帶化模塊(Line?Narrow?Module：LNM)。以下，將光譜線寬被窄帶化的激光裝置稱為窄帶化激光裝置。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2000-286482號公報

專利文獻(xiàn)2：日本特開2003-133622號公報

專利文獻(xiàn)3：日本特開2003-283007號公報

發(fā)明內(nèi)容

本公開的一方案也可以是氣體激光裝置，具備：腔，該腔內(nèi)被封入激光氣體；窗，其設(shè)置于腔，且供激光透射；光路管，其包圍腔的設(shè)置有窗的位置而與腔連接；氣體供給口，其向光路管內(nèi)供給吹掃氣體；排氣口，其排出光路管內(nèi)的氣體；以及控制部，排氣口包括主排氣口和副排氣口，該主排氣口以使氣體在窗的表面流動的方式設(shè)置于光路管，該副排氣口在光路管內(nèi)的比設(shè)置有窗的位置及設(shè)置有主排氣口的位置靠氣體流動的上游側(cè)設(shè)置于光路管，控制部在從腔出射激光之前使氣體從主排氣口排出，在從腔出射激光的至少部分期間內(nèi)，使氣體從副排氣口排出。