[發明專利]光半導體元件、光半導體裝置、光傳輸系統以及光半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201980088132.5
• 申請日: 2019-12-03
• 公開（公告）號: CN113711366A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 稻田智志;大野健一;皆見健史;村上朱實;早川純一朗;大塚勤
• 申請（專利權）人: 富士膠片商業創新有限公司
• 主分類號: H01L31/02
• 分類號: H01L31/02;H01S5/0234;H01S5/023;H01S5/183
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 蔡麗娜;黃志堅

光半導體元件具備：半絕緣性的半導體基板；柱狀體，其形成于半導體基板的正面側，從正面側射出光或接受光；與柱狀體連接的正面側的電極；形成于半導體基板的背面側的背面側的電極；導電部件，其貫通半導體基板，對正面側的電極與背面側的電極進行連接，并且具有向半導體基板的正面側突出的突出部。

技術領域

本發明涉及光半導體元件、光半導體裝置、光傳輸系統以及光半導體裝置的制造方法。

背景技術

在專利文獻1中公開了一種半導體激光裝置，它是在基板上包含臺面結構的面發光型半導體激光元件的激光裝置，其中，在基板上包含至少1個靜電破壞防止用的突出部，該至少1個突出部具有與基準電位連接的導電路徑，并且配置在面發光型半導體激光元件的周圍。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2007-059673號公報

發明內容

發明所要解決的課題

本公開的非限定性的實施方式的一個方式涉及提供在與外部連接的情況下，能夠在減少寄生元件的同時保護正面的、從正面射出或接受光的光半導體元件、光半導體裝置、光傳輸系統以及光半導體裝置的制造方法。

用于解決課題的手段

根據本公開的一個方式，提供一種光半導體元件，其具備：半絕緣性的半導體基板；柱狀體，其形成于所述半導體基板的正面側，從所述正面側射出光或接受光；與所述柱狀體連接的正面側的電極；形成于所述半導體基板的背面側的背面側的電極；導電部件，其貫通所述半導體基板，對所述正面側的電極與所述背面側的電極進行連接，并且具有向所述半導體基板的正面側突出的突出部。

在[1]的光半導體元件中，也可以是，所述突出部具有到達所述柱狀體的上表面的高度。

在[1]的光半導體元件中，也可以是，所述突出部具有超過所述柱狀體的上正面的高度。

在[1]的光半導體元件中，也可以是，所述突出部具有超過所述正面側的電極的高度。

在[1]至[4]中任一項所涉及的光半導體元件中，也可以是，所述導電部件與所述正面側的電極在所述半導體基板的形成有所述柱狀體的一側的面被連接。

在[1]至[5]中任一項所涉及的光半導體元件中，也可以是，還具有在所述背面側的電極形成的凸點。

在[1]至[6]中任一項所涉及的光半導體元件中，也可以是，所述正面側的電極包含俯視觀察時呈閉合形狀的電極，所述突出部與俯視觀察時呈所述閉合形狀的電極的至少一部分連接。

根據本公開的另一方式，提供一種光半導體裝置，其具備：[1]至[7]中任一項的光半導體元件；以及光學部件，其與所述光半導體元件光耦合，所述光學部件與所述柱狀體之間的位置關系由所述突出部規定。

在[8]的光半導體裝置中，也可以是，所述光半導體元件是發光元件，所述光學部件是使從所述光半導體元件射出的光向外部擴散的光擴散部件。

根據本公開的另一方式，提供一種光傳輸系統，其具備：[8]所涉及的光半導體裝置；以及對從所述光半導體元件射出的光或由所述光半導體元件接受的光進行傳輸的作為所述光學部件的光傳輸路徑。

根據本公開的另一方式，提供一種光半導體元件的制造方法，包括：在半導體基板的正面形成從所述正面側射出或接受光的柱狀體以及與所述柱狀體連接的布線；在所述半導體基板的正面涂布抗蝕劑；形成通過了所述抗蝕劑以及所述布線、未到達所述半導體基板的背面的深度的開口部；在所述半導體基板的正面形成導電層并利用所述導電層填埋所述開口部；磨削所述抗蝕劑上的所述導電層；以及對所述半導體基板的背面進行磨削而使所述開口部露出。