[發(fā)明專利]光半導(dǎo)體元件、光半導(dǎo)體裝置、光傳輸系統(tǒng)以及光半導(dǎo)體裝置的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980088132.5
• 申請日: 2019-12-03
• 公開（公告）號: CN113711366A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 稻田智志;大野健一;皆見健史;村上朱實;早川純一朗;大塚勤
• 申請（專利權(quán)）人: 富士膠片商業(yè)創(chuàng)新有限公司
• 主分類號: H01L31/02
• 分類號: H01L31/02;H01S5/0234;H01S5/023;H01S5/183
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 蔡麗娜;黃志堅

1.一種光半導(dǎo)體元件，具備：

半絕緣性的半導(dǎo)體基板；

柱狀體，其形成于所述半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)龋瑥恼鎮(zhèn)壬涑龉饣蚪邮芄猓?/p>

與所述柱狀體連接的正面?zhèn)鹊碾姌O；

形成于所述半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)鹊谋趁鎮(zhèn)鹊碾姌O；

導(dǎo)電部件，其貫通所述半導(dǎo)體基板，對所述正面?zhèn)鹊碾姌O與所述背面?zhèn)鹊碾姌O進(jìn)行連接，并且具有向所述半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)韧怀龅耐怀霾俊?/p>

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體元件，其中，

所述突出部具有到達(dá)所述柱狀體的上表面的高度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體元件，其中，

所述突出部具有超過所述柱狀體的上表面的高度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體元件，其中，

所述突出部具有超過所述正面?zhèn)鹊碾姌O的高度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任意一項所述的光半導(dǎo)體元件，其中，

所述導(dǎo)電部件與所述正面?zhèn)鹊碾姌O在所述半導(dǎo)體基板的形成有所述柱狀體的一側(cè)的面被連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任意一項所述的光半導(dǎo)體元件，其中，

所述光半導(dǎo)體元件還具有在所述背面?zhèn)鹊碾姌O形成的凸點(diǎn)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任意一項所述的光半導(dǎo)體元件，其中，

所述正面?zhèn)鹊碾姌O包含俯視觀察時呈閉合形狀的電極，所述突出部與俯視觀察時所述呈閉合形狀的電極的至少一部分連接。

8.一種光半導(dǎo)體裝置，其中，

該光半導(dǎo)體裝置具有：

權(quán)利要求1～7中的任意一項所述的光半導(dǎo)體元件；以及

光學(xué)部件，其與所述光半導(dǎo)體元件光耦合，

所述光學(xué)部件與所述柱狀體之間的位置關(guān)系由所述突出部規(guī)定。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光半導(dǎo)體裝置，其中，

所述光半導(dǎo)體元件是發(fā)光元件，

所述光學(xué)部件是使從所述光半導(dǎo)體元件射出的光向外部擴(kuò)散的光擴(kuò)散部件。

10.一種光傳輸系統(tǒng)，其具有：

權(quán)利要求8所述的光半導(dǎo)體裝置；以及

對從所述光半導(dǎo)體元件射出的光或由所述光半導(dǎo)體元件接受的光進(jìn)行傳輸?shù)淖鳛樗龉鈱W(xué)部件的光傳輸路徑。

11.一種光半導(dǎo)體元件的制造方法，包括：

在半導(dǎo)體基板的正面形成從所述正面?zhèn)壬涑龉饣蚪邮芄獾闹鶢铙w以及與所述柱狀體連接的布線；

在所述半導(dǎo)體基板的正面涂布抗蝕劑；

形成通過了所述抗蝕劑以及所述布線、未到達(dá)所述半導(dǎo)體基板的背面的深度的開口部；

在所述半導(dǎo)體基板的正面形成導(dǎo)電層并利用所述導(dǎo)電層填埋所述開口部；

磨削所述抗蝕劑上的所述導(dǎo)電層；以及

對所述半導(dǎo)體基板的背面進(jìn)行磨削而使所述開口部露出。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，

形成所述柱狀體以及與所述柱狀體連接的布線包括以在所述布線的一部分中形成閉合形狀的布線的方式形成所述柱狀體以及與所述柱狀體連接的布線，

形成所述開口部包括以使俯視觀察時呈所述閉合形狀的布線的至少一部分與所述開口部的一部分連接的方式形成所述開口部。

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的光半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，

還包括形成凸點(diǎn)，該凸點(diǎn)與在所述半導(dǎo)體基板的背面露出的所述導(dǎo)電層連接。