[發(fā)明專利]通過外延橫向過生長獲得平滑表面的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980087480.0 | 申請日： | 2019-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN113287205A | 公開（公告）日： | 2021-08-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 神川剛;S.甘德羅圖拉 | 申請（專利權(quán)）人： | 加利福尼亞大學(xué)董事會 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/46;H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 通過 外延 橫向 生長 獲得 平滑 表面 方法 | ||
一種用于以外延橫向過生長獲得epi層的平滑表面的方法。該方法不使用錯切的取向，也不抑制椎體形小丘的出現(xiàn)，而是將椎體形小丘嵌入epi層中。生長限制掩模用于限制椎體形小丘在橫向方向上的擴(kuò)展。由于椎體形小丘的消失，epi層的表面變得極為平滑。
根據(jù)35U.S.C第119(e)節(jié)，本申請要求以下共同待決且共同轉(zhuǎn)讓的申請的權(quán)益：
由Takeshi Kamikawa和Srinivas Gandrothula于2018年10月31日提交的美國臨時申請序列號62/753,225，題為“獲得具有表面橫向過度增長的平滑表面的方法(METHODOF OBTAINING A SMOOTH SURFACE WITH EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH)”，代理案號為GC 30794.0693USP1(UC 2019-166-1)；
該申請通過引用并入本文。
本申請與以下共同待決且共同轉(zhuǎn)讓的申請有關(guān)：
由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen于2018年5月7日提交的PCT國際專利申請?zhí)朠CT/US18/31393，題為“移除基板的方法(METHODOF REMOVING A SUBSTRATE)”，代理卷號為30794.0653WOU1(UC 2017-621-2)，該申請根據(jù)35U.S.C第119(e)節(jié)要求由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen于2017年5月5日提交的共同待決和共同轉(zhuǎn)讓的美國臨時專利申請?zhí)?2/502,205的權(quán)益，其題為“移除基板的方法(METHOD OF REMOVING ASUBSTRATE)”，代理案號為30794.0653USP1(UC 2017-621-1)；
由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li于2018年9月17日提交的PCT國際專利申請?zhí)朠CT/US18/51375，題為“用剪切技術(shù)移除基板的方法(METHOD OFREMOVING A SUBSTRATE WITH A CLEAVING TECHNIQUE)”，代理案號為30794.0659WOU1(UC2018-086-2)，該申請根據(jù)35 U.S.C第119(e)節(jié)要求由Takeshi Kamikawa、SrinivasGandrothula和Hongjian Li于2017年9月15日提交的共同待決且共同轉(zhuǎn)讓的美國臨時專利申請?zhí)?2/559,378號的權(quán)益，其題為“用剪切技術(shù)移除基板的方法(METHOD OF REMOVING ASUBSTRATE WITH A CLEAVING TECHNIQUE)”，代理案號為30794.0659USP1(UC 2018-086-1)；
由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li于2019年4月1日提交的PCT國際專利申請?zhí)朠CT/US19/25187，題為“使用外延橫向過生長制造非極性和半極性器件的方法(METHOD OF FABRICATING NONPOLAR AND SEMIPOLAR DEVICES USINGEPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH)”，代理案號為30794.0680WOU1(UC 2018-427-2)，該申請根據(jù)35U.S.C第119(e)節(jié)要求由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li于2018年3月30日提交的共同待決且共同轉(zhuǎn)讓的美國臨時專利申請序列號62/650,487的權(quán)益，其題為“使用外延橫向過生長制造非極性和半極性器件的方法(METHOD OFFABRICATING NONPOLAR AND SEMIPOLAR DEVICES USING EPITAXIAL LATERALOVERGROWTH)”，代理案號為GC 30794.0680USP1(UC 2018-427-1)；
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于加利福尼亞大學(xué)董事會，未經(jīng)加利福尼亞大學(xué)董事會許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980087480.0/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
