[發明專利]通過外延橫向過生長獲得平滑表面的方法

在審

• 申請號: 201980087480.0
• 申請日: 2019-10-31
• 公開（公告）號: CN113287205A
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 神川剛;S.甘德羅圖拉
• 申請（專利權）人: 加利福尼亞大學董事會
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/46;H01S5/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王蕊瑞

1.一種方法，包括：

制造包括多個III族氮化物半導體層的器件，其中所述多個III族氮化物半導體層包含嵌入其中的至少一個椎體形小丘，并且當將多個基于III族氮化物的半導體層中的至少一個沉積在基板上或上方時在生長限制掩模的開口區域內形成所述椎體形小丘。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，使用所述生長限制掩模和外延橫向過生長在所述基板上或上方形成所述III族氮化物半導體層中的至少一些，并且在所述III族氮化物半導體層聚結之前停止所述外延橫向過生長。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，在所述外延橫向過生長期間形成所述椎體形小丘，并且，所述椎體形小丘被嵌入在所述外延橫向過生長中。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，所述生長限制掩模限制所述椎體形小丘在橫向方向上的擴展。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述多個III族氮化物半導體層在III族氮化物基板上或上方生長。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述多個III族氮化物半導體層在異質基板上或上方生長，并且在所述多個III族氮化物半導體層之前，在所述異質基板上或上方沉積III族氮化物模板。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述島狀III族氮化物半導體層不與鄰近的島狀III族氮化物半導體層聚結。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，從所述III族氮化物基板移除所述多個III族氮化物半導體層。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，通過以下從所述III族氮化物基板移除所述多個III族氮化物半導體層：

將膜施加到III族氮化物半導體層；

將壓力施加到所述膜上；

改變所述膜和所述基板的溫度；以及

在施加壓力并改變溫度之后，從基板上剝離具有III族氮化物半導體層的膜。

10.一種通過權利要求1的方法制造的器件。

11.一種器件，包括：

由多個III族氮化物半導體層構成的器件，其中所述多個III族氮化物半導體層包含嵌入其中的至少一個椎體形小丘，并且當將多個基于III族氮化物的半導體層中的至少一個沉積在基板上或上方時在生長限制掩模的開口區域內形成所述椎體形小丘。

12.根據權利要求11所述的器件，其中，使用所述生長限制掩模和外延橫向過生長在所述基板上或上方形成所述III族氮化物半導體層中的至少一些，并且在所述III族氮化物半導體層聚結之前停止所述外延橫向過生長。

13.根據權利要求12所述的器件，其中，在所述外延橫向過生長期間形成所述椎體形小丘，并且在所述外延橫向過生長中嵌入所述椎體形小丘。

14.根據權利要求12所述的器件，其中，所述生長限制掩模限制所述椎體形小丘在橫向方向上的擴展。

15.根據權利要求11所述的器件，其中，所述多個III族氮化物半導體層在III族氮化物基板上或上方生長。

16.根據權利要求11所述的器件，其中，所述多個III族氮化物半導體層在異質基板上或上方生長，并且在所述多個III族氮化物半導體層之前，在所述異質基板上或上方沉積III族氮化物模板。

17.根據權利要求11所述的器件，其中，所述島狀III族氮化物半導體層不與相鄰的島狀III族氮化物半導體層聚結。