[發明專利]濺射裝置及濺射方法

有效

• 申請號: 201980086846.2
• 申請日: 2019-09-12
• 公開（公告）號: CN113227446B
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 中野賢明
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 北京英特普羅知識產權代理有限公司 11015
• 代理人: 齊永紅;秦巖

本發明提供一種不損害在形成于被處理基板表面上的孔和溝槽的底面和側面上以良好的覆蓋性和對稱性形成規定的薄膜這一功能并可提高靶的利用效率的濺射裝置。本發明的濺射裝置(SM)具有配置了靶(21)的真空室(1)，在真空室內形成等離子體氣氛對靶進行濺射，使從靶飛散的濺射粒子附著、堆積在真空室內配置的被處理基板(Sw)表面上從而形成規定的薄膜，在從靶飛散的濺射粒子所附著的真空室內的規定位置上設置附著體(61)，所述附著體的至少濺射粒子的附著面(61a)設置為采用與靶同種類的材料制成，在附著體上連接偏置電源(62)，所述偏置電源在形成等離子體氣氛時施加帶負電位的偏置電壓。

技術領域

本發明涉及濺射裝置及濺射方法，具體而言，涉及可提高靶的利用效率的濺射裝置及濺射方法。

背景技術

在半導體器件的制造工序中，有在形成于被處理基板表面的孔和溝槽的底面和側面上形成阻擋膜或晶種膜等薄膜的成膜工序，在這樣的成膜中，通常使用濺射裝置。例如在專利文獻1中已知的濺射裝置，其可在孔和溝槽的底面和側面覆蓋性良好且對于孔和溝槽對稱性良好地(即在孔和溝槽的相對側面上形成的薄膜的厚度相同地)形成薄膜。

上述以往例子的裝置是所謂的LTS(長拋擲濺射(Long Throw Sputtering))方式的裝置，具有可形成真空氣氛的真空室，在真空室的上部配置有靶，在真空室內的下部與靶相對設置有安裝了被處理基板的臺架。此時，靶和臺架上的被處理基板之間的距離(T/S距離)設定得比一般的濺射裝置長。由此，可增加到達被處理基板表面的濺射粒子中帶有前進穩定性(直進性)的濺射粒子的比例，從而能以良好的覆蓋性和對稱性成膜。

再有，在對靶進行濺射時，雖然濺射粒子從靶表面按規定的余弦法則飛散，但一部分濺射粒子也會朝被處理基板以外飛散。此時，位于真空室內的防附著板等部件上附著的濺射粒子通常只能被丟棄。并且，如上述以往例子那樣，為了增加帶有前進穩定性的濺射粒子的比例而使T/S距離設定得很長的話，附著到被處理基板以外的濺射粒子的量會增加，這樣會存在靶的利用效率差的問題。

現有技術文獻

【專利文獻】

【專利文獻1】日本專利公開平9-213634號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

鑒于以上內容，本發明要解決的技術問題是提供一種不損害在形成于被處理基板表面的孔和溝槽的底面和側面上以良好的覆蓋性和對稱性形成規定的薄膜這一功能并可提高靶的利用效率的濺射裝置及濺射方法。

解決技術問題的手段

為解決上述技術問題，本發明的濺射裝置具有配置了靶的真空室，在真空室內形成等離子體氣氛對靶進行濺射，使從靶飛散的濺射粒子附著、堆積在真空室內配置的被處理基板表面上并形成規定的薄膜，在從靶飛散的濺射粒子附著的真空室內的規定位置上設置附著體，所述附著體中至少濺射粒子的附著面設置為采用與靶同種類的材料制成，附著體連接偏置電源，所述偏置電源在形成等離子體氣氛時施加帶負電位的偏置電壓。