[發明專利]濺射裝置及濺射方法

有效

• 申請號: 201980086846.2
• 申請日: 2019-09-12
• 公開（公告）號: CN113227446B
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 中野賢明
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 北京英特普羅知識產權代理有限公司 11015
• 代理人: 齊永紅;秦巖

1.一種濺射裝置，其具有配置了靶的真空室，在真空室內形成等離子體氣氛對靶進行濺射，使從靶飛散的濺射粒子附著、堆積在真空室內配置的被處理基板表面上形成規定的薄膜，所述濺射裝置的特征在于：

在從靶飛散的濺射粒子所附著的真空室內的規定位置上設置附著體，所述附著體的至少濺射粒子的附著面設置為采用與靶同種類的材料制成；

在附著體上連接偏置電源，所述偏置電源在形成等離子體氣氛時施加帶負電位的偏置電壓；

在靶和附著體之間的空間中形成上述等離子體氣氛，通過該等離子體氣氛中的稀有氣體的離子，靶表面受到濺射而濺射粒子的一部分附著到附著體的表面，并且通過偏置電源在附著體上施加偏置電壓，通過該等離子體氣氛中的稀有氣體的離子，作為濺射粒子的一部分所附著的附著體的表面的附著面受到濺射而同種類的濺射粒子的一部分再次附著到靶表面。

2.根據權利要求1所述的濺射裝置，其特征在于：

以所述靶作為第一靶，以所述附著體作為與第一靶同種類的材料制成的板狀的第二靶，第一靶和被處理基板在真空室內相對配置；

第二靶在第一靶和被處理基板之間的空間中與第一靶相對設置，第二靶上開設有貫通其板厚度方向從而容許濺射粒子通過的第一通孔。

3.根據權利要求2所述的濺射裝置，其特征在于：

所述第一通孔由多個通孔構成。

4.根據權利要求2或3所述的濺射裝置，其特征在于：

以從所述被處理基板朝向所述第一靶的方向為上，將所述第一靶和所述被處理基板在與上下方向正交的方向上偏置，所述濺射裝置還具有旋轉自由地保持所述被處理基板的臺架；

在第二靶和所述臺架之間的空間中設置有分布板，其限制通過第二靶的第一通孔朝向被處理基板的濺射粒子的一部分。

5.根據權利要求4所述的濺射裝置，其特征在于：

在第二靶和所述臺架之間的空間中，設置有接地電位的電極板，其開設有容許濺射粒子通過的第二通孔。

6.一種使用權利要求1記載的濺射裝置的濺射方法，其特征在于，包括：

在對所述靶進行濺射使濺射粒子附著到所述附著體上的同時，向所述附著體施加比在所述靶上施加的電壓低的偏置電位，從而使所述附著體上附著的濺射粒子再次附著到所述靶上的工序。

7.一種使用權利要求1記載的濺射裝置的濺射方法，其特征在于，包括：

對所述靶進行濺射使濺射粒子附著到所述附著體上的第一工序；以及

向所述附著體施加偏置電位使所述附著體上附著的濺射粒子再次附著到所述靶上的第二工序。