[發(fā)明專利]包括具有精確控制電容面積的電容器的多層電子裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980084715.0
• 申請日: 2019-12-19
• 公開（公告）號: CN113228409B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔權(quán);瑪麗安·貝羅里尼
• 申請（專利權(quán)）人: 京瓷AVX元器件公司
• 主分類號: H01P1/203
• 分類號: H01P1/203;H05K1/16;H01P1/201
• 代理公司: 北京中博世達專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 張凱

一種多層電子裝置可以包括在垂直于X?Y平面的Z方向上堆疊的多個介電層。所述裝置可以包括第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層覆蓋在所述多個介電層中的一個上。所述多層電子裝置可以包括第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層覆蓋在所述多個介電層中的另一個上并且在所述Z方向上與所述第一導(dǎo)電層間隔開。所述第二導(dǎo)電層可以在所述X?Y平面中在重疊區(qū)域處與所述第一導(dǎo)電層重疊以形成電容器。所述第一導(dǎo)電層可以具有在所述重疊區(qū)域的邊界處的一對平行邊緣和在所述重疊區(qū)域內(nèi)的偏移邊緣，所述偏移邊緣平行于所述一對平行邊緣。在所述偏移邊緣與所述一對平行邊緣中的至少一個之間的偏移距離可以小于約500微米。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求申請日為2018年12月20日的美國臨時專利申請序列號62/782,496的申請權(quán)益，該美國臨時專利申請的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本申請中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及包括具有精確控制電容面積的電容器的多層電子裝置。

背景技術(shù)

多層電子裝置通常包括電容器。例如，多層濾波器通常包括一個或多個電容器，所述一個或多個電容器被設(shè)計為提供非常特定的電容值。然而，對這種電容器的電容的精確控制可能難以實現(xiàn)，因為它涉及精確控制電容器的電容面積。

對電容的精確控制在高頻濾波器中尤其重要。對諸如高頻無線電信號通信的高頻信號進行濾波近來越來越流行。對提高無線連接的數(shù)據(jù)傳輸速度的需求推動了對高頻部件的需求，所述高頻部件包括被配置為在包括5G頻譜頻率的高頻下運行的部件。高頻應(yīng)用通常需要表現(xiàn)出非常低電容值的電容器。為了獲得這種電容器，必須精確控制非常小的電容面積，這會進一步增加形成這種精確電容器的難度。因此，包括具有精確控制電容面積的電容器的多層濾波器將在本領(lǐng)域受到歡迎。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本公開的一個實施方式，一種多層電子裝置可以包括在垂直于X-Y平面的Z方向上堆疊的多個介電層。多層電子裝置可以包括覆蓋在多個介電層中的一個上的第一導(dǎo)電層。多層電子裝置可以包括第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層覆蓋在多個介電層中的另一個上并且在Z方向上與第一導(dǎo)電層間隔開。第二導(dǎo)電層可以在X-Y平面中在重疊區(qū)域處與第一導(dǎo)電層重疊，以形成電容器。第一導(dǎo)電層可以在重疊區(qū)域的邊界處具有一對平行邊緣。第一導(dǎo)電層可以具有在重疊區(qū)域內(nèi)的偏移邊緣，所述偏移邊緣與一對平行邊緣平行。偏移邊緣從一對平行邊緣中的至少一個偏移小于約500微米的偏移距離。

根據(jù)本公開的另一實施方式，一種形成頻率多層電子裝置的方法可以包括：提供多個介電層，和形成覆蓋在多個介電層中的一個上的第一導(dǎo)電層。第一導(dǎo)電層可以具有一對平行邊緣和與一對平行邊緣平行的偏移邊緣。偏移邊緣從一對平行邊緣中的至少一個偏移小于約500微米的偏移距離。該方法可以包括形成覆蓋在多個介電層中的另一個上的第二導(dǎo)電層。該方法可以包括在垂直于X-Y平面的Z方向上堆疊多個介電層，使得第一導(dǎo)電層在X-Y平面中在重疊區(qū)域處與第二導(dǎo)電層重疊。第一導(dǎo)電層的一對平行邊緣可以與重疊區(qū)域的邊界相交。第一導(dǎo)電層的偏移邊緣可以定位在重疊區(qū)域內(nèi)。

根據(jù)本公開的另一實施方式，一種設(shè)計多層電子裝置的電容器的方法可以包括：計算目標(biāo)重疊區(qū)域，以及基于目標(biāo)重疊區(qū)域選擇重疊區(qū)域的尺寸。該方法可以包括設(shè)置導(dǎo)電層的偏移邊緣與一對平行邊緣中的至少一個之間的偏移距離的大小，以調(diào)整重疊區(qū)域的大小并且減小重疊區(qū)域的大小與目標(biāo)重疊區(qū)域的大小之間的差。導(dǎo)電層的一對平行邊緣可以定位在重疊區(qū)域的邊界處。偏移邊緣可以定位在重疊區(qū)域內(nèi)。

附圖說明

在本說明書的其余部分中，更具體地闡述了針對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的本發(fā)明的完整且可行的公開，包括其最佳模式，并且參照附圖，在附圖中：

圖1是根據(jù)本公開的方面的帶通濾波器的簡化示意圖；

圖2是根據(jù)本公開的方面的另一帶通濾波器的簡化示意圖；

圖3A和圖3B是根據(jù)本公開的方面的示例性帶通濾波器的立體圖；