[發明專利]包括具有精確控制電容面積的電容器的多層電子裝置

有效

• 申請號: 201980084715.0
• 申請日: 2019-12-19
• 公開（公告）號: CN113228409B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 崔權;瑪麗安·貝羅里尼
• 申請（專利權）人: 京瓷AVX元器件公司
• 主分類號: H01P1/203
• 分類號: H01P1/203;H05K1/16;H01P1/201
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 張凱

1.一種多層電子裝置，所述多層電子裝置包括：

多個介電層，所述多個介電層在垂直于X-Y平面的Z方向上被堆疊；

第一導電層，所述第一導電層覆蓋在所述多個介電層中的一個上；

第二導電層，所述第二導電層覆蓋在所述多個介電層中的另一個上并且在所述Z方向上與所述第一導電層間隔開，其中，所述第二導電層在所述X-Y平面中在重疊區域處與所述第一導電層重疊，以形成電容器，并且其中，所述第一導電層在所述重疊區域的邊界處具有一對平行邊緣，并且其中，所述第一導電層具有在所述重疊區域內的偏移邊緣，所述偏移邊緣平行于所述一對平行邊緣，并且其中，所述偏移邊緣從所述一對平行邊緣中的至少一個偏移小于500微米的偏移距離，并且其中，寬度不連續邊緣在所述偏移邊緣與所述一對平行邊緣中的至少一個之間延伸。

2.根據權利要求1所述的多層電子裝置，其中，所述第一導電層具有在所述一對平行邊緣之間的第一寬度、和在垂直于所述偏移邊緣的方向上在所述偏移邊緣處的第二寬度，并且其中，所述第二寬度大于所述第一寬度。

3.根據權利要求1所述的多層電子裝置，其中，所述第一導電層具有在所述一對平行邊緣之間的第一寬度、和在垂直于所述偏移邊緣的方向上在所述偏移邊緣處的第二寬度，并且其中，所述第二寬度小于所述第一寬度。

4.根據權利要求1所述的多層電子裝置，其中，所述寬度不連續邊緣定位為距所述重疊區域的邊界至少30微米。

5.根據權利要求1所述的多層電子裝置，其中，所述第一導電層包括突出部，所述突出部在所述一對平行邊緣外部和所述重疊區域內部延伸。

6.根據權利要求5所述的多層電子裝置，其中，所述突出部具有在所述X-Y平面中的小于0.2mm²的面積。

7.根據權利要求1所述的多層電子裝置，其中，所述第一導電層包括在所述重疊區域內部的凹陷部。

8.根據權利要求7所述的多層電子裝置，其中，所述凹陷部具有在所述X-Y平面中的小于0.2mm²的面積。

9.根據權利要求1所述的多層電子裝置，其中，所述偏移邊緣在與所述一對平行邊緣平行的方向上具有小于500微米的長度。

10.根據權利要求1所述的多層電子裝置，其中，所述電容器具有小于0.5mm²的重疊區域。

11.根據權利要求1所述的多層電子裝置，其中，所述電容器具有大于2的重疊區域與特征區域之比。

12.根據權利要求1所述的多層電子裝置，其中，所述第一導電層和所述第二導電層在所述Z方向上間隔開小于100微米。

13.根據權利要求1所述的多層電子裝置，其中，所述電容器是自對準的。

14.根據權利要求1所述的多層電子裝置，所述多層電子裝置包括布置在所述第一導電層與所述第二導電層之間的介電材料，所述介電材料根據IPC TM-650 2.5.5.3在25℃的工作溫度和1MHz的頻率下具有范圍從5至8的介電常數。

15.根據權利要求14所述的多層電子裝置，所述多層電子裝置還包括附加介電材料，所述附加介電材料根據IPC TM-650 2.5.5.3在25℃的工作溫度和1MHz的頻率下具有范圍從1至4的介電常數。

16.根據權利要求1所述的多層電子裝置，其中，所述多層電子裝置被配置為濾波器。