[發明專利]光發送裝置

有效

• 申請號: 201980084093.1
• 申請日: 2019-12-05
• 公開（公告）號: CN113196599B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: 林周作;西川智志;秋山浩一
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01S5/343
• 分類號: H01S5/343;H01S5/50;G02F1/025;H04B10/556
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 劉蓉

光發送裝置(1)具備第1多值光相位調制部(10)和第1半導體光放大部(30)。第1半導體光放大部(30)的第1活性區域(32)包括第1多量子阱構造。在將多個第1阱層(32a)的第1層數設為nsubgt;1/subgt;，將第1活性區域(32)的第1長度設為Lsubgt;1/subgt;(μm)時，(a)nsubgt;1/subgt;＝5并且400≤Lsubgt;1/subgt;≤563或者(b)nsubgt;1/subgt;＝6并且336≤Lsubgt;1/subgt;≤470或者(c)nsubgt;1/subgt;＝7并、280≤Lsubgt;1/subgt;≤432或者(d)nsubgt;1/subgt;＝8并且252≤Lsubgt;1/subgt;≤397或者(e)nsubgt;1/subgt;＝9并且224≤Lsubgt;1/subgt;≤351或者(f)nsubgt;1/subgt;＝10并且200≤Lsubgt;1/subgt;≤297。

技術領域

本發明涉及光發送裝置。

背景技術

日本特開2014-7642號公報(專利文獻1)公開了具備光I/Q調制器和半導體光放大器(SOA)的光發送裝置。半導體光放大器放大從光I/Q調制器輸出的光信號。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2014-7642號公報

發明內容

在專利文獻1公開的光發送裝置中，在用半導體光放大器(SOA)放大從光I/Q調制器輸出的光信號時，有時通過光I/Q調制器賦予的光信號的相位失真，從光發送裝置輸出的光信號的質量劣化。本發明是鑒于上述課題完成的，其目的在于提供能夠輸出具有提高的質量和強度的光信號并且降低功耗的光發送裝置。

本發明的光發送裝置具備第1多值光相位調制部和第1半導體光放大部。第1半導體光放大部放大從第1多值光相位調制部輸出的第1信號光。第1半導體光放大部包括第1活性區域。第1活性區域包括包含多個第1阱層的第1多量子阱構造。在將多個第1阱層的第1層數設為n₁，將第1活性區域的第1長度設為L₁(μm)時，(a)n₁＝5并且400≤L₁≤563或者(b)n₁＝6并且336≤L₁≤470或者(c)n₁＝7并且280≤L₁≤432或者(d)n₁＝8并且252≤L₁≤397或者(e)n₁＝9并且224≤L₁≤351或者(f)n₁＝10并且200≤L₁≤297。

本發明的光發送裝置能夠提高從光發送裝置輸出的光信號的質量和強度，并且具有降低的功耗。

附圖說明

圖1是實施方式1所涉及的光發送裝置的概略圖。

圖2是實施方式1以及實施方式3所涉及的光發送裝置的、沿圖1、圖13、圖14以及圖17所示的剖面線II-II的概略剖面圖。

圖3是示出通過仿真得到的、在第1半導體光放大部流過100mA的電流的情況下第1半導體光放大部的增益成為11dB的第1層數n₁與第1長度L₁的關系和在第1半導體光放大部流過100mA的電流的情況下第1半導體光放大部的增益成為8.8dB的第1層數n₁與第1長度L₁的關系的圖表。

圖4是示出通過仿真得到的、在第1層數n₁是5并且第1半導體光放大部流過的電流是100mA的情況下的、第1長度L₁與從光發送裝置輸出的信號光的EVM的關系的圖表。