[發明專利]光發送裝置

有效

• 申請號: 201980084093.1
• 申請日: 2019-12-05
• 公開（公告）號: CN113196599B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: 林周作;西川智志;秋山浩一
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01S5/343
• 分類號: H01S5/343;H01S5/50;G02F1/025;H04B10/556
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 劉蓉

1.一種光發送裝置，具備：

第1多值光相位調制部；以及

第1半導體光放大部，放大從所述第1多值光相位調制部輸出的第1信號光，

所述第1半導體光放大部包括由n-InP構成的n型半導體層、一對光封閉層、第1活性區域、由p-InP構成的p型半導體層、由n-InP或者添加Fe的InP構成的電流阻擋層、由p-InGaAs構成的p型接觸層、n型電極以及p型電極，所述第1活性區域包括第1多量子阱構造，該第1多量子阱構造包括由無摻雜的InGaAsP構成的多個第1阱層和由無摻雜的InGaAsP構成的多個勢壘層，

所述第1活性區域的兩側被與所述第1活性區域相接的所述電流阻擋層埋入，

所述電流阻擋層是n-InP層或添加Fe的InP層，

在將所述多個第1阱層的第1層數設為n₁，將所述第1活性區域的第1長度設為L₁(μm)時，滿足

n₁＝5并且400≤L₁≤563或者

n₁＝6并且336≤L₁≤470或者

n₁＝7并且280≤L₁≤432或者

n₁＝8并且252≤L₁≤397或者

n₁＝9并且224≤L₁≤351或者

n₁＝10并且200≤L₁≤297的條件，

所述第1半導體光放大部具有8dB以上的增益，

所述光發送裝置輸出具有10％以下的誤差矢量幅度的光信號。

2.根據權利要求1所述的光發送裝置，其中，

n₁＝5并且500≤L₁≤563或者

n₁＝6并且420≤L₁≤470或者

n₁＝7并且350≤L₁≤432或者

n₁＝8并且315≤L₁≤397或者

n₁＝9并且280≤L₁≤351或者

n₁＝10并且250≤L₁≤297。

3.根據權利要求1所述的光發送裝置，其中，

n₁＝5并且400≤L₁≤500或者

n₁＝6并且336≤L₁≤400或者

n₁＝7并且300≤L₁≤400或者

n₁＝8并且300≤L₁≤397。

4.根據權利要求1至3中的任意一項所述的光發送裝置，其中，

所述第1半導體光放大部被控制成在所述第1半導體光放大部的增益飽和區域動作。

5.根據權利要求1至3中的任意一項所述的光發送裝置，其中，

還具備向所述第1多值光相位調制部輸出光的半導體激光器，

所述第1多值光相位調制部、所述第1半導體光放大部以及所述半導體激光器形成于一張半導體基板上。