[發(fā)明專(zhuān)利]具有不均勻的縱向截面的用于半導(dǎo)體材料的外延反應(yīng)器的反應(yīng)室及反應(yīng)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980083556.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113195780B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-05-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 西爾維奧·佩雷蒂;弗朗西斯科·科里亞;毛里利奧·梅斯基亞 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 洛佩詩(shī)公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C14/54 | 分類(lèi)號(hào): | C23C14/54;C30B23/06;C30B25/10;C23C16/46;C30B35/00 |
| 代理公司: | 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262 | 代理人: | 張瑞;楊明釗 |
| 地址: | 意大利米*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 不均勻 縱向 截面 用于 半導(dǎo)體材料 外延 反應(yīng)器 反應(yīng) | ||
反應(yīng)室(100A)用于反應(yīng)器,用于在基底(62)上沉積半導(dǎo)體材料;反應(yīng)室沿縱向方向延伸,并包括沿該縱向延伸的反應(yīng)和沉積區(qū)域(10);該區(qū)域(10)由適于通過(guò)電磁感應(yīng)加熱的感受器元件(21A、21B、21C、22A、22B、31、32)限定;第一感受器元件(21A、21B、21C、22A、22B)與室的基底支撐元件(61)相對(duì),并且具有孔(20),該孔沿著其整個(gè)長(zhǎng)度在縱向方向上延伸;第一感受器元件(21A、21B、21C、22A、22B)具有取決于其縱向位置的不均勻的橫截面。
發(fā)明領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于適于在基底上沉積半導(dǎo)體材料的外延反應(yīng)器的反應(yīng)室和使用該反應(yīng)室的反應(yīng)器,該反應(yīng)室具有不均勻(non-uniform)的縱向截面。
特別地,本發(fā)明涉及一種“熱壁”反應(yīng)室。
背景
這種類(lèi)型的反應(yīng)室特別用于碳化硅在碳化硅基底上的外延沉積(“同質(zhì)外延”工藝)或在由另一種材料制成的基底上的外延沉積(“異質(zhì)外延”工藝)。
在過(guò)去,申請(qǐng)人已經(jīng)對(duì)這種種類(lèi)的反應(yīng)室進(jìn)行了研究,并且已經(jīng)提交了例如兩個(gè)國(guó)際專(zhuān)利申請(qǐng)WO2004053187A1和WO2004053188A1(其在此作為參考目的并入)。
這種類(lèi)型的反應(yīng)室1的示例示意性地示于圖1、圖2和圖3中;該反應(yīng)室1沿縱向方向均勻地延伸。反應(yīng)室1包括由四個(gè)感受器元件(susceptor elements)2、3、4和5構(gòu)成的感受器組件,感受器元件2、3、4和5限定了反應(yīng)和沉積區(qū)域10,并包含在由絕熱材料制成的外殼7中;外殼7插入石英管8中。外殼7由管71和兩個(gè)圓形帽72和73構(gòu)成。圍繞管8纏繞有感應(yīng)器(inductor)9,感應(yīng)器9適于通過(guò)電磁感應(yīng)加熱由石墨制成的元件2、3、4和5;感應(yīng)器9用虛線表示,因?yàn)閲?yán)格地講它不是反應(yīng)室1的一部分。感應(yīng)器元件4和5是兩條帶,并構(gòu)成區(qū)域10的側(cè)壁。元件2和3是兩個(gè)具有圓弓形(circular segment)形狀的截面并且具有通孔20和30的突起實(shí)體(projection solids),通孔20和30具有圓弓形形狀的截面;因此,它們由平板21和31以及彎曲板22和32構(gòu)成;平板21和31分別構(gòu)成區(qū)域10的上壁和下壁。下壁31適于容納組件6,組件6尤其包括支撐元件61(通常在沉積過(guò)程期間可旋轉(zhuǎn)),支撐元件61適于支撐至少一個(gè)經(jīng)受沉積的基底62;根據(jù)該示例,支撐元件61可以插入?yún)^(qū)域10和從區(qū)域10取出。所示的兩個(gè)帽72和73看起來(lái)像是封閉的;其實(shí),它們表示的是開(kāi)口,特別是帽73中的用于前體氣體(precursor gases)的入口(見(jiàn)黑色箭頭)的開(kāi)口和帽72中的用于廢氣的出口(見(jiàn)黑色箭頭)的開(kāi)口。室1在位置P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7和P8處的橫截面是相同的(準(zhǔn)確地說(shuō),幾乎相同)。
在這兩個(gè)專(zhuān)利申請(qǐng)中描述和示出的反應(yīng)室的目的尤其是在反應(yīng)和沉積區(qū)域(圖1和圖2和圖3中的10)內(nèi),特別是在經(jīng)受沉積的基底(圖1和圖2和圖3中的62)內(nèi)保持均勻的溫度。
下面,申請(qǐng)人根據(jù)這兩項(xiàng)專(zhuān)利申請(qǐng)開(kāi)發(fā)了一種解決方案,以獲得反應(yīng)和沉積區(qū)域內(nèi)的豎直溫差,并提交了國(guó)際專(zhuān)利申請(qǐng)WO2007088420A2(其在此作為參考目的并入)。同樣,該反應(yīng)室沿縱向方向均勻地延伸。
在圖1、圖2和圖3的室中(以及在上述專(zhuān)利申請(qǐng)的室中),如果感受器組件被認(rèn)為被切割成彼此相等(即厚度相同)的薄的軸向截面,則每個(gè)截面同等程度地有助于加熱反應(yīng)和沉積區(qū)域。
概述
由于最近進(jìn)行的實(shí)驗(yàn),申請(qǐng)人認(rèn)識(shí)到,為了在沉積過(guò)程中獲得經(jīng)受沉積的基底的期望溫度分布(例如,在沉積過(guò)程期間基底的上表面的均勻溫度),這種均等式貢獻(xiàn)(equalcontribution)并不是最佳的解決方案。
在圖1、圖2和圖3的室中(以及在上述專(zhuān)利申請(qǐng)的室中),例如在沉積過(guò)程期間幾乎不可能直接測(cè)量基底的上表面各個(gè)點(diǎn)處的溫度。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





