[發明專利]具有不均勻的縱向截面的用于半導體材料的外延反應器的反應室及反應器

有效

• 申請號: 201980083556.2
• 申請日: 2019-10-17
• 公開（公告）號: CN113195780B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 西爾維奧·佩雷蒂;弗朗西斯科·科里亞;毛里利奧·梅斯基亞
• 申請（專利權）人: 洛佩詩公司
• 主分類號: C23C14/54
• 分類號: C23C14/54;C30B23/06;C30B25/10;C23C16/46;C30B35/00
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 張瑞;楊明釗

1.一種用于外延反應器的反應室，所述反應室適于在基底（62）上沉積半導體材料，所述反應室沿縱向方向延伸并且包括沿所述縱向方向延伸的反應和沉積區域（10），其中所述反應和沉積區域（10）由感受器元件限定，所述感受器元件由裸露或被覆蓋的石墨制成并且適于通過電磁感應加熱，其中所述感受器元件中的第一感受器元件與所述反應室的基底支撐元件（61）相對并且具有孔（20），所述孔（20）沿其整個長度沿所述縱向方向延伸，

其特征在于，

所述第一感受器元件具有取決于其縱向位置的不均勻的橫向橫截面，使得所述第一感受器元件對所述反應和沉積區域（10）的加熱的貢獻根據其縱向位置而變化。

2.根據權利要求1所述的反應室，其中所述第一感受器元件具有第一端部區域、第二端部區域和中間區域，其中所述中間區域處的截面積小于所述第一端部區域和所述第二端部區域處的截面積。

3.根據權利要求2所述的反應室，其中所述第一端部區域和所述第二端部區域相等。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的反應室，其中所述第一感受器元件包括平板和接合到所述平板的彎曲板，其中所述平板和所述彎曲板圍繞所述孔（20）。

5.根據權利要求4所述的反應室，其中所述彎曲板具有至少一個切口（222）和/或至少一個孔。

6.根據權利要求4所述的反應室，其中所述彎曲板具有可變的厚度。

7.根據權利要求5所述的反應室，其中所述彎曲板具有可變的厚度。

8.根據權利要求4所述的反應室，其中所述平板具有可變的厚度。

9.根據權利要求5所述的反應室，其中所述平板具有可變的厚度。

10.根據權利要求6所述的反應室，其中所述平板具有可變的厚度。

11.根據權利要求7所述的反應室，其中所述平板具有可變的厚度。

12.根據權利要求1或2或3所述的反應室，其中所述第一感受器元件具有第一端部區域、第二端部區域和中間區域，

- 其中所述第一端部區域包括第一平板和接合到所述第一平板的第一彎曲板，

- 其中所述第二端部區域包括第二平板和接合到所述第二平板的第二彎曲板，以及

- 其中所述中間區域由第三平板組成。

13.根據權利要求12所述的反應室，包括適于沿徑向方向傳導熱的裝置，所述裝置位于所述第一彎曲板和所述第二彎曲板之間。

14.根據權利要求1或2或3所述的反應室，其中所述第一感受器元件具有第一端部區域、第二端部區域和中間區域，

- 其中所述第一端部區域包括具有第一厚度的第一平板，

- 其中所述第二端部區域包括具有第二厚度的第二平板，以及

- 其中所述中間區域包括具有第三厚度的第三平板；

其中所述第三厚度低于或高于所述第一厚度和所述第二厚度。

15.根據權利要求14所述的反應室，其中所述第一平板和/或所述第二平板具有在所述縱向方向上形成的中心降低部或中心升高部。

16.根據權利要求1、3、5-11、13和15中任一項所述的反應室，包括適于在所述反應和沉積區域中支撐一個或更多個基底的盤形支撐元件，其中所述第一感受器元件相對于所述盤形支撐元件位于前方。

17.根據權利要求2所述的反應室，包括適于在所述反應和沉積區域中支撐一個或更多個基底的盤形支撐元件，其中所述第一感受器元件相對于所述盤形支撐元件位于前方。