[發明專利]彈性波裝置、分波器以及通信裝置

在審

• 申請號: 201980082801.8
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN113302840A
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 野添惣一朗
• 申請（專利權）人: 京瓷株式會社
• 主分類號: H03H9/145
• 分類號: H03H9/145;H03H9/25;H03H9/64;H03H9/72
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 伍志健;林明校

1.彈性波裝置，包括：

LN層，由LiNbO₃的單晶構成；

多個諧振器，具有位于所述LN層上的IDT電極；

當以所述IDT電極的電極指的指間距的兩倍為λ時，所述LN層的厚度為0.3λ以下；

所述LN層的歐拉角為(0°±10°，-25°以上15°以下，0°以上360°以下)。

2.根據權利要求1所述的彈性波裝置，所述多個諧振器包括第一諧振器以及第二諧振器；所述第一諧振器的傳播角與所述第二諧振器的傳播角不同。

3.根據權利要求2所述的彈性波裝置，所述多個諧振器構成梯形的濾波器；

所述第一諧振器用作串聯諧振器，所述第二諧振器用作并聯諧振器；

當n1、n2為0～5的自然數時，所述第一諧振器的傳播角為20°+60°×n1以上40°+60°×n1以下，所述第二諧振器的傳播角為-10°+60°×n2以上10°+60°×n2以下。

4.根據權利要求2或3所述的彈性波裝置，所述第一諧振器與所述第二諧振器之間不存在另外的諧振器。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的彈性波裝置，包括基板和位于所述基板上的多層膜；

所述IDT電極位于所述多層膜上。

6.根據權利要求4所述的彈性波裝置，所述多層膜包括低聲速層和高聲速層；所述低聲速層由SiO₂形成，所述高聲速層由Ta₂O₅形成。

7.根據權利要求6所述的彈性波裝置，所述LN層的厚度為0.1175λ以上0.22λ以下；

所述低聲速層的厚度為0.065λ以上0.1375λ以下；

所述高聲速層的厚度為0.055λ以上0.1175λ以下。

8.根據權利要求5～7中任一項所述的彈性波裝置，所述多層膜包括：第一層；以及，第二層，所述第二層比所述第一層更靠近所述基板；且所述第一層的表面粗糙度比所述第二層的表面粗糙度小。

9.根據權利要求1～4中任一項所述的彈性波裝置，包括用于支撐所述LN層的基板，在所述LN層中所述多個諧振器所處的區域與所述基板之間存在空隙。

10.分波器，包括：

天線端子；

發送濾波器，用于過濾輸出至所述天線端子的信號；以及，

接收濾波器，用于過濾從所述天線端子輸入的信號；

所述發送濾波器以及所述接收濾波器中的至少一方，包括權利要求1～9中任一項所述的彈性波裝置。

11.通信裝置，包括：

天線；

權利要求10所述的分波器，所述天線端子與所述天線連接；

IC，相對于所述發送濾波器以及所述接收濾波器，在信號路徑上被連接于與所述天線端子相反的一側。