[發明專利]處理腔室的耐腐蝕接地屏蔽件

在審

• 申請號: 201980080531.7
• 申請日: 2019-12-05
• 公開（公告）號: CN113169114A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: D·盧博米爾斯基;賀小明;J·Y·孫;鄔笑煒;L·卡琳塔;S·樸
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/67;H01L21/02;H01L23/373
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 汪駿飛;侯穎媖

基板支撐組件包括接地屏蔽件和被接地屏蔽件圍繞的加熱器。接地屏蔽件包括板。在一個實施例中，接地屏蔽件由陶瓷主體構成，并且包括導電層、在板的上表面上的第一保護層。在另一個實施例中，接地屏蔽件由導電主體和板的上表面上的第一保護層構成。

技術領域

本公開的實施例總體上涉及一種用于加熱器的接地屏蔽件，其可允許在偏壓等離子體的形成中的均勻性，并且具體涉及一種耐腐蝕和/或侵蝕(諸如由等離子體環境引起)的接地屏蔽件。

背景技術

在半導體產業中，加熱器用以支撐基板并在處理期間(諸如在使用等離子體的沉積處理和/或蝕刻處理期間)加熱那些基板。可將射頻(RF)場引入基板處理設備，以促進在加熱器與處理單元的其他部件之間的振蕩，這有助于等離子體的使用。接地屏蔽件可用以幫助加熱器接地，以在此處理期間允許等離子體具有更大的均勻性。當前的接地屏蔽件由鋁或不銹鋼材料制成，并涂有保護涂層，保護涂層的熱膨脹系數(CTE)與鋁或不銹鋼的CTE非常不同。因為在鋁或不銹鋼材料與接地屏蔽件上的傳統保護涂層之間的CTE值明顯不同，因此保護涂層經常會裂開，從而使鋁或不銹鋼材料暴露于腐蝕性環境和/或等離子體。這防止現有的接地屏蔽件在偏壓的高溫應用中使用。

發明內容

在一個實施例中，一種處理腔室的接地屏蔽件包括：陶瓷主體，陶瓷主體包含板和從板的上表面延伸的凸起邊緣。加熱器適配在板的上表面上的凸起邊緣內。接地屏蔽件進一步包括：導電層，在板的至少上表面上；及第一保護層，在至少導電層上。

在一個實施例中，一種處理腔室的基板支撐組件包括：加熱器；及接地屏蔽件，包含盤形陶瓷主體和從盤形陶瓷主體的下表面延伸的軸。盤形陶瓷主體的上表面包含從盤形陶瓷主體的上表面延伸的凸起邊緣。加熱器設置在凸起邊緣內的盤形陶瓷主體的上表面上。接地屏蔽件進一步包括：導電層，在盤形陶瓷主體的至少上表面上；及第一保護層，在至少導電層上。

在一個實施例中，一種處理腔室的接地屏蔽件包括：導電主體，包括板和從板的上表面延伸的凸起邊緣。加熱器適配在板的上表面上的凸起邊緣內。凸起邊緣包括邊緣內壁；邊緣上表面和邊緣外壁；第一保護層，在板的至少上表面上；及在至少第一保護層上的第二保護層。

附圖說明

在所附附圖的圖中通過示例的方式(而非通過限制的方式)描繪了本公開，在所附附圖中，相似的附圖標記指示相似的元素。應當注意在本公開中對“一”或“一個”實施例的不同引用不一定是相同實施例，且這樣的引用意味著至少一個。

圖1描繪了處理腔室的一個實施例的截面圖。

圖2描繪了接地屏蔽組件的一個實施例的分解圖。

圖3A描繪了包含導電層和第一保護層的陶瓷接地屏蔽組件的一個實施例的截面圖。

圖3B描繪了包含導電層和第一保護層的陶瓷接地屏蔽組件的一個實施例的另一截面圖。

圖3C描繪了包含導電層和第一保護層的陶瓷接地屏蔽組件的一個實施例的另一截面圖。

圖3D描繪了包含導電層和第一保護層的陶瓷接地屏蔽組件的一個實施例的另一截面圖。

圖4A描繪了包含導電層、第一保護層和第二保護層的陶瓷接地屏蔽組件的一個實施例的截面圖。

圖4B描繪了包含導電層、第一保護層和第二保護層的陶瓷接地屏蔽組件的一個實施例的另一截面圖。

圖4C描繪了包含導電層、第一保護層和第二保護層的陶瓷接地屏蔽組件的一個實施例的另一截面圖。

圖4D描繪了包含導電層、第一保護層和第二保護層的陶瓷接地屏蔽組件的一個實施例的另一截面圖。

圖5A描繪了包含第一保護層和第二保護層的導電接地屏蔽組件的一個實施例的截面圖。