[發(fā)明專利]處理腔室的耐腐蝕接地屏蔽件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980080531.7
• 申請(qǐng)日: 2019-12-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113169114A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·盧博米爾斯基;賀小明;J·Y·孫;鄔笑煒;L·卡琳塔;S·樸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號(hào): H01L21/687
• 分類號(hào): H01L21/687;H01L21/67;H01L21/02;H01L23/373
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 汪駿飛;侯穎媖

1.一種處理腔室的接地屏蔽件，包含：

陶瓷主體，包含板和從所述板的上表面延伸的凸起邊緣，其中加熱器適配在所述板的所述上表面上的所述凸起邊緣內(nèi)；

導(dǎo)電層，在所述板的至少所述上表面上；以及

第一保護(hù)層，在至少所述導(dǎo)電層上。

2.如權(quán)利要求1所述的接地屏蔽件，進(jìn)一步包含：

第二保護(hù)層，在所述第一保護(hù)層上，其中所述第二保護(hù)層是保形的，具有在大約50.00nm–2.00mm的厚度并具有小于0.1％的孔隙率。

3.如權(quán)利要求2所述的接地屏蔽件，其中所述第二保護(hù)層包含氧化釔、氧化鉺、氧化鉭、氟化釔、氧化鋁、氟化鋁、二氧化鋯、Y₂O₃-ZrO₂固溶體、包含Y₄Al₂O₉及Y₂O₃-ZrO₂固溶體的材料或其組合中的至少一者。

4.如權(quán)利要求2所述的接地屏蔽件，其中所述凸起邊緣包含邊緣內(nèi)壁、邊緣上表面及邊緣外壁，且其中所述導(dǎo)電層、所述第一保護(hù)層或所述第二保護(hù)層中的至少一者進(jìn)一步覆蓋所述邊緣內(nèi)壁、所述邊緣上表面或所述邊緣外壁中的至少一者。

5.如權(quán)利要求1所述的接地屏蔽件，其中所述第一保護(hù)層包含氧化鋁、Y₂SiO₅、Y₂Si₂O₇、Y₅O₄F₇、鉭、碳化硅、氧化釔、氧化鉺、Y₂O₃-ZrO₂固溶體、包含Y₄Al₂O₉和Y₂O₃-ZrO₂固溶體的材料或其組合中的至少一者。

6.如權(quán)利要求1所述的接地屏蔽件，其中所述陶瓷本體進(jìn)一步包含鉆入所述板中的多個(gè)孔，且其中所述多個(gè)孔中的一個(gè)或多個(gè)填充有導(dǎo)電塞。

7.如權(quán)利要求1所述的接地屏蔽件，其中所述陶瓷主體具有第一熱膨脹系數(shù)(CTE)，且所述第一保護(hù)層具有第二CTE，其中所述第二CTE的值在所述第一CTE的2.5 10^-6/℃內(nèi)。

8.一種處理腔室的基板支撐組件，包含：

加熱器；及

接地屏蔽件，包含盤(pán)形陶瓷主體和從所述盤(pán)形陶瓷主體的下表面延伸的軸，其中所述盤(pán)形陶瓷主體的上表面包含從所述盤(pán)形陶瓷主體的上表面延伸的凸起邊緣，且其中所述加熱器設(shè)置在所述凸起邊緣內(nèi)的所述盤(pán)形陶瓷主體的所述上表面上，所述接地屏蔽件進(jìn)一步包含：

導(dǎo)電層，在所述盤(pán)形陶瓷主體的至少所述上表面上；以及

第一保護(hù)層，在至少所述導(dǎo)電層上。

9.如權(quán)利要求8所述的基板支撐組件，進(jìn)一步包含第二保護(hù)層，在所述第一保護(hù)層上，其中所述第二保護(hù)層是保形層，具有大約50.00nm-2.00mm的厚度，具有小于0.1％的孔隙率，并包含氧化釔、氧化鉺、氧化鉭、氟化釔、氧化鋁、氟化鋁、二氧化鋯、Y₂O₃-ZrO₂固溶體、包含Y₄Al₂O₉及Y₂O₃-ZrO₂固溶體的材料或其組合中的至少一者。

10.如權(quán)利要求9所述的基板支撐組件，其中所述凸起邊緣包含邊緣內(nèi)壁、邊緣上表面及邊緣外壁，且其中所述導(dǎo)電層、所述第一保護(hù)層或所述第二保護(hù)層中的至少一者進(jìn)一步覆蓋所述邊緣內(nèi)壁，所述邊緣表面或所述邊緣外壁中的至少一者。