[發(fā)明專利]支撐管芯和包括橫向移位的豎直互連的多個(gè)存儲(chǔ)器管芯的接合組件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980079499.0
• 申請(qǐng)日: 2019-12-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113196476A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 瓜生達(dá)也;清水聰;藤村信行
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 桑迪士克科技有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L25/065
• 分類(lèi)號(hào): H01L25/065;H01L27/105;H01L27/11521;H01L27/11582
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

本發(fā)明提供了一種接合組件，所述接合組件包括：第一存儲(chǔ)器管芯，所述第一存儲(chǔ)器管芯包括第一三維存儲(chǔ)器器件；第二存儲(chǔ)器管芯，所述第二存儲(chǔ)器管芯包括第二三維存儲(chǔ)器器件；以及支撐管芯，所述支撐管芯接合到所述第一存儲(chǔ)器管芯并且包括外圍電路，所述外圍電路被配置為控制所述第一三維存儲(chǔ)器器件和所述第二三維存儲(chǔ)器器件。所述第一存儲(chǔ)器管芯包括多行第一管芯近側(cè)接合墊、多行第一管芯遠(yuǎn)側(cè)接合墊和多個(gè)第一管芯橫向移位導(dǎo)電路徑，所述多個(gè)第一管芯橫向移位導(dǎo)電路徑連接所述第一管芯近側(cè)接合墊中的相應(yīng)第一管芯近側(cè)接合墊和所述第一管芯遠(yuǎn)側(cè)接合墊中的相應(yīng)第一管芯遠(yuǎn)側(cè)接合墊，所述相應(yīng)第一管芯遠(yuǎn)側(cè)接合墊與所述第一管芯近側(cè)接合墊中的所述相應(yīng)第一管芯近側(cè)接合墊橫向偏移。所述第一存儲(chǔ)器管芯和所述第二存儲(chǔ)器管芯可具有相同的布局，并且電連接可通過(guò)所述第一存儲(chǔ)器管芯移位所述偏移距離。

相關(guān)申請(qǐng)

本申請(qǐng)要求提交于2019年2月28日的美國(guó)非臨時(shí)專利申請(qǐng)序列號(hào)16/288,656的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，該美國(guó)非臨時(shí)專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容以引用的方式并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)整體涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，并且具體地講，涉及使用由直通介電通孔結(jié)構(gòu)提供的豎直互連來(lái)堆疊半導(dǎo)體管芯的方法以及由直通介電通孔結(jié)構(gòu)形成的接合組件。

背景技術(shù)

包括每個(gè)單元具有一個(gè)位的三維豎直NAND串的三維存儲(chǔ)器器件在T.Endoh等人的標(biāo)題為“Novel Ultra High Density Memory With A Stacked-Surrounding GateTransistor(S-SGT)Structured Cell(具有堆疊的圍繞柵極晶體管(S-SGT)結(jié)構(gòu)化單元的新型超高密度存儲(chǔ)器)”，IEDM Proc.(2001)33-36的文章中公開(kāi)。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方案，提供了一種接合組件，該接合組件包括：第一存儲(chǔ)器管芯，該第一存儲(chǔ)器管芯包括第一三維存儲(chǔ)器器件；第二存儲(chǔ)器管芯，該第二存儲(chǔ)器管芯包括第二三維存儲(chǔ)器器件；以及支撐管芯，該支撐管芯接合到第一存儲(chǔ)器管芯并且包括被配置為控制第一三維存儲(chǔ)器器件和第二三維存儲(chǔ)器器件的外圍電路，并且包括多行支撐管芯接合墊，其中該第一存儲(chǔ)器管芯包括：多行第一管芯近側(cè)接合墊，該多行第一管芯近側(cè)接合墊沿著第一方向延伸并且沿著第二方向間隔開(kāi)，并且在第一接合界面平面處接合到該支撐管芯；多行第一管芯遠(yuǎn)側(cè)接合墊，該多行第一管芯遠(yuǎn)側(cè)接合墊沿著第一方向延伸并且沿著第二方向間隔開(kāi)，并且在第二接合界面平面處接合到第二存儲(chǔ)器管芯；以及多個(gè)第一管芯橫向移位導(dǎo)電路徑，該多個(gè)第一管芯橫向移位導(dǎo)電路徑連接第一管芯近側(cè)接合墊中的相應(yīng)第一管芯近側(cè)接合墊和第一管芯遠(yuǎn)側(cè)接合墊中的相應(yīng)第一管芯遠(yuǎn)側(cè)接合墊，該相應(yīng)第一管芯遠(yuǎn)側(cè)接合墊沿著第二方向與第一管芯近側(cè)接合墊中的相應(yīng)第一管芯近側(cè)接合墊橫向偏移。

根據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)實(shí)施方案，提供了一種形成接合組件的方法，該方法包括：提供第一存儲(chǔ)器管芯，該第一存儲(chǔ)器管芯包括第一三維存儲(chǔ)器器件，該第一三維存儲(chǔ)器器件包括第一管芯絕緣層和第一管芯導(dǎo)電層的第一管芯交替堆疊以及延伸穿過(guò)該第一管芯交替堆疊的第一管芯存儲(chǔ)器堆疊結(jié)構(gòu)；提供第二存儲(chǔ)器管芯，該第二存儲(chǔ)器管芯包括第二三維存儲(chǔ)器器件，該第二三維存儲(chǔ)器器件包括第二管芯絕緣層和第二管芯導(dǎo)電層的第二管芯交替堆疊以及延伸穿過(guò)該第二管芯交替堆疊的第二管芯存儲(chǔ)器堆疊結(jié)構(gòu)；接合與第一存儲(chǔ)器管芯接合的支撐管芯，其中該支撐管芯包括被配置為控制第一管芯存儲(chǔ)器堆疊結(jié)構(gòu)和第二管芯存儲(chǔ)器堆疊結(jié)構(gòu)的外圍電路以及多行支撐管芯接合墊，其中該第一存儲(chǔ)器管芯包括：多行第一管芯近側(cè)接合墊，該第一管芯近側(cè)接合墊沿著第一方向延伸并且沿著第二方向間隔開(kāi)，并且在第一接合界面平面處接合到該支撐管芯；多行第一管芯遠(yuǎn)側(cè)接合墊，該多行第一管芯遠(yuǎn)側(cè)接合墊沿著第一方向延伸并且沿著第二方向間隔開(kāi)，并且在第二接合界面平面處接合到第二存儲(chǔ)器管芯；以及多個(gè)第一管芯橫向移位導(dǎo)電路徑，該多個(gè)第一管芯橫向移位導(dǎo)電路徑連接第一管芯近側(cè)接合墊中的相應(yīng)第一管芯近側(cè)接合墊和第一管芯遠(yuǎn)側(cè)接合墊中的相應(yīng)第一管芯遠(yuǎn)側(cè)接合墊，該相應(yīng)第一管芯遠(yuǎn)側(cè)接合墊沿著第二方向與第一管芯近側(cè)接合墊中的相應(yīng)第一管芯近側(cè)接合墊橫向偏移。

附圖說(shuō)明