[發(fā)明專利]含低級烯烴氣體的制造裝置及含低級烯烴氣體的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980078008.0 | 申請日： | 2019-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN113165995A | 公開（公告）日： | 2021-07-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馬場祐一郎;關(guān)根可織;中井祐賀子;西井麻衣;福嶋將行;加藤禎宏;增田隆夫;中坂佑太;吉川琢也 | 申請（專利權(quán)）人： | 古河電氣工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | C07C1/04 | 分類號： | C07C1/04;C07C11/02;C07C11/06;B01J29/72;B01J35/04;C01B3/40;C07B61/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 楊宏軍;焦成美 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 低級 烯烴 氣體 制造 裝置 方法 | ||
1.含低級烯烴氣體的制造裝置，其制造含有包含丙烯的低級烯烴的氣體，
所述制造裝置具備：
第1供給部，供給包含甲烷和二氧化碳的原料氣體；
合成氣體生成部，從所述第1供給部供給所述原料氣體，一邊將第1催化劑結(jié)構(gòu)體加熱，一邊由所述原料氣體中包含的甲烷和二氧化碳生成包含一氧化碳和氫的合成氣體；
第2供給部，供給從所述合成氣體生成部排出的所述合成氣體；
含低級烯烴氣體生成部，從所述第2供給部供給所述合成氣體，一邊將第2催化劑結(jié)構(gòu)體加熱，一邊由所述合成氣體中包含的一氧化碳和氫生成含有包含丙烯的低級烯烴的氣體；和
第1檢測部，對從所述含低級烯烴氣體生成部排出的所述含低級烯烴氣體中的丙烯進(jìn)行檢測，
所述第1催化劑結(jié)構(gòu)體具備由沸石型化合物構(gòu)成的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)的第1載體和存在于所述第1載體內(nèi)的至少1種第1催化劑物質(zhì)，
所述第1載體具有與所述第1載體的外部連通的第1通道，
所述第1催化劑物質(zhì)為第1金屬微粒，所述第1催化劑物質(zhì)存在于所述第1載體的至少所述第1通道中，
所述第2催化劑結(jié)構(gòu)體具備由沸石型化合物構(gòu)成的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)的第2載體和存在于所述第2載體內(nèi)的至少1種第2金屬微粒，
所述第2載體具有與所述第2載體的外部連通的第2通道，
所述第2通道的一部分的平均內(nèi)徑為0.95nm以下。
2.如權(quán)利要求1所述的含低級烯烴氣體的制造裝置，其還具備向所述合成氣體生成部供給氧的氧供給部。
3.如權(quán)利要求2所述的含低級烯烴氣體的制造裝置，其中，所述氧供給部向所述合成氣體生成部供給低于爆炸下限的濃度的氧。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的含低級烯烴氣體的制造裝置，其中，所述合成氣體生成部將所述第1催化劑結(jié)構(gòu)體于600℃以上且1000℃以下加熱。
5.如權(quán)利要求1～4中任一項所述的含低級烯烴氣體的制造裝置，其中，所述第1金屬微粒是由選自由銠(Rh)、釕(Ru)、銥(Ir)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、鐵(Fe)、鈷(Co)及鎳(Ni)組成的組中的至少1種金屬構(gòu)成的微粒。
6.如權(quán)利要求1～5中任一項所述的含低級烯烴氣體的制造裝置，其中，所述第1通道具有所述沸石型化合物的骨架結(jié)構(gòu)的一維孔、二維孔及三維孔中的任一種、和與所述一維孔、所述二維孔及所述三維孔中的任一種均不同的第1擴(kuò)徑部，并且
所述第1催化劑物質(zhì)至少存在于所述第1擴(kuò)徑部。
7.如權(quán)利要求6所述的含低級烯烴氣體的制造裝置，其中，所述第1擴(kuò)徑部將構(gòu)成所述一維孔、所述二維孔及所述三維孔中的任一者的多個孔彼此連通。
8.如權(quán)利要求6或7所述的含低級烯烴氣體的制造裝置，其中，所述第1金屬微粒的平均粒徑大于所述第1通道的平均內(nèi)徑、且為所述第1擴(kuò)徑部的內(nèi)徑以下。
9.如權(quán)利要求1～8中任一項所述的含低級烯烴氣體的制造裝置，其還具備對從所述合成氣體生成部排出的所述合成氣體中的甲烷和二氧化碳進(jìn)行分離的第1分離部。
10.如權(quán)利要求9所述的含低級烯烴氣體的制造裝置，其還具備將所述第1分離部中分離的甲烷和二氧化碳向所述合成氣體生成部供給的第3供給部。
11.如權(quán)利要求1～10中任一項所述的含低級烯烴氣體的制造裝置，其還具備對從所述合成氣體生成部排出的所述合成氣體中的一氧化碳和氫進(jìn)行檢測的第2檢測部。
12.如權(quán)利要求1～11中任一項所述的含低級烯烴氣體的制造裝置，其中，所述含低級烯烴氣體生成部將所述第2催化劑結(jié)構(gòu)體于180℃以上且500℃以下加熱。
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