[發(fā)明專利]氣體噴嘴和氣體噴嘴的制造方法以及等離子體處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980077166.4
• 申請日: 2019-11-22
• 公開（公告）號: CN113165139B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 野口幸雄;左橋知也
• 申請（專利權(quán)）人: 京瓷株式會社
• 主分類號: B24B31/00
• 分類號: B24B31/00;C04B35/50;H01L21/3065;H01L21/31;B05B15/18
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 吳克鵬

1.一種氣體噴嘴，其具備引導(dǎo)氣體的管狀的供給孔、和連接于該供給孔且與所述供給孔相比直徑小的噴射孔，是從該噴射孔噴射所述氣體的、以稀土元素的氧化物、氟化物或氧氟化物為主成分，或以釔鋁復(fù)合氧化物為主成分的陶瓷或單晶所形成的氣體噴嘴，其中，關(guān)于形成所述供給孔的內(nèi)周面的算術(shù)平均粗糙度Ra，所述氣體的流出側(cè)一方比流入側(cè)小，

所述內(nèi)周面的算術(shù)平均粗糙度Ra從所述氣體的流入側(cè)朝向流出側(cè)逐漸減小。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體噴嘴，其中，從所述氣體的流入側(cè)朝向流出側(cè)的、所述算術(shù)平均粗糙度Ra的逐漸減小，是指數(shù)函數(shù)的或一次函數(shù)的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣體噴嘴，其中，所述氣體的流入側(cè)的所述算術(shù)平均粗糙度Ra為2.5μm以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣體噴嘴，其中，所述內(nèi)周面的算術(shù)平均粗糙度Ra的偏度Sk為0以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣體噴嘴，其中，在所述供給孔與所述噴射孔之間具備臨時(shí)儲存所述氣體的環(huán)狀的存儲部。

6.一種權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的氣體噴嘴的制造方法，其中，包括：

對于以稀土元素的氧化物、氟化物或氧氟化物為主成分，或者以釔鋁復(fù)合氧化物為主成分的顆粒進(jìn)行加壓成形而得到成形體的工序；

對于所述成形體實(shí)施切削加工，得到形成有供給孔用導(dǎo)孔和與所述供給孔用導(dǎo)孔相比直徑小的噴射孔用導(dǎo)孔的前驅(qū)體的工序；

將所述前驅(qū)體進(jìn)行燒成而得到燒結(jié)體的工序；

通過磨粒流研磨法對所述燒結(jié)體的至少形成所述供給孔的內(nèi)周面進(jìn)行研磨，從而使所述內(nèi)周面的算術(shù)平均粗糙度Ra從所述氣體的流入側(cè)朝向流出側(cè)逐漸減小的工序。

7.一種權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的氣體噴嘴的制造方法，其中，包括：

對于以稀土元素的氧化物、氟化物或氧氟化物為主成分，或者以釔鋁復(fù)合氧化物為主成分的顆粒進(jìn)行加壓成形而得到成形體的工序；

得到前驅(qū)體的工序，其中，所述前驅(qū)體是使用具有設(shè)有螺旋狀的槽的第一刀柄的第一切削工具，在所述成形體上形成供給孔用導(dǎo)孔和與所述供給孔用導(dǎo)孔相比直徑小的噴射孔用導(dǎo)孔后，使用在第二刀柄的前端側(cè)安裝有與第二刀柄的直徑相比具有大直徑的圓板狀的刀片的第二切削工具，對于至少形成供給孔用導(dǎo)孔的內(nèi)周面進(jìn)行切削加工從而使所述內(nèi)周面的算術(shù)平均粗糙度Ra從所述氣體的流入側(cè)朝向流出側(cè)逐漸減小而得到；

燒成所述前驅(qū)體而得到燒結(jié)體的工序。

8.一種權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的氣體噴嘴的制造方法，其中，包括：

培養(yǎng)以稀土元素的氧化物、氟化物或氧氟化物為主成分，或者以釔鋁復(fù)合氧化物為主成分的圓柱狀的單晶錠塊的工序；

對于所述單晶錠塊實(shí)施珩磨加工、超聲波旋轉(zhuǎn)加工或磨削加工而形成所述供給孔和與所述供給孔相比直徑小的所述噴射孔的工序；

運(yùn)用磨粒流研磨法對所述單晶錠塊的至少形成所述供給孔的內(nèi)周面進(jìn)行研磨從而使所述內(nèi)周面的算術(shù)平均粗糙度Ra從所述氣體的流入側(cè)朝向流出側(cè)逐漸減小的工序。

9.一種等離子體處理裝置，其中，包含權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的氣體噴嘴。