[發(fā)明專利]基板處理方法及基板處理裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980076850.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113169061A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高橋弘明;藤原直澄;尾辻正幸;吉田幸史;上田大 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社斯庫(kù)林集團(tuán) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/304 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 陳偉;沈靜 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 方法 裝置 | ||
1.一種基板處理方法,包括以下工序:
第1液膜形成工序,通過(guò)向基板的表面供給含有固體形成物質(zhì)的處理液而在所述基板的表面形成所述處理液的第1液膜;
第1固體膜形成工序,從所述第1液膜形成含有固體狀態(tài)的所述固體形成物質(zhì)的第1固體膜;
第1固體膜剝離去除工序,通過(guò)向所述基板的表面供給將所述第1固體膜剝離的剝離液而將所述第1固體膜從所述基板的表面剝離并去除;
第2液膜形成工序,在從所述基板的表面去除了所述第1固體膜后,通過(guò)向所述基板的表面供給所述處理液而在所述基板的表面形成所述處理液的第2液膜;
第2固體膜形成工序,從所述第2液膜形成含有固體狀態(tài)的所述固體形成物質(zhì)的第2固體膜;以及
第2固體膜氣化去除工序,使所述第2固體膜以不經(jīng)由液體狀態(tài)的方式氣化,將所述第2固體膜從所述基板的表面去除。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法,其中,
所述第1固體膜形成工序包括形成對(duì)存在于所述基板的表面的去除對(duì)象物進(jìn)行保持的所述第1固體膜的工序,
所述第1固體膜剝離去除工序包括將保持著所述去除對(duì)象物的狀態(tài)下的所述第1固體膜從所述基板的表面剝離的工序。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理方法,其中,
所述處理液是所述固體形成物質(zhì)的熔融液,
所述基板處理方法還包括:
第1冷卻工序,在所述第1固體膜形成工序中對(duì)所述第1液膜進(jìn)行冷卻使得所述第1液膜凝固;和
第2冷卻工序,在所述第2固體膜形成工序中對(duì)所述第2液膜進(jìn)行冷卻使得所述第2液膜凝固。
4.如權(quán)利要求3所述的基板處理方法,其中,
所述第1冷卻工序在所述第1固體膜剝離去除工序中也繼續(xù)進(jìn)行。
5.如權(quán)利要求3或4所述的基板處理方法,其中,
所述第2冷卻工序在所述第2固體膜氣化去除工序中也繼續(xù)進(jìn)行。
6.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理方法,其中,
所述處理液包含作為溶質(zhì)的所述固體形成物質(zhì)和使所述固體形成物質(zhì)溶解的溶劑,
所述基板處理方法還包括:
第1析出工序,在所述第1固體膜形成工序中使所述溶劑從所述第1液膜蒸發(fā)而使所述固體形成物質(zhì)析出;和
第2析出工序,在所述第2固體膜形成工序中使所述溶劑從所述第2液膜蒸發(fā)而使所述固體形成物質(zhì)析出。
7.如權(quán)利要求6所述的基板處理方法,其中,
所述固體形成物質(zhì)是從固體升華為氣體的升華性物質(zhì),
所述基板處理方法還包括基板加熱工序,在所述第2析出工序中對(duì)所述基板進(jìn)行加熱以促進(jìn)所述溶劑從所述第2液膜的蒸發(fā),
所述基板加熱工序在所述第2固體膜氣化去除工序中也繼續(xù)進(jìn)行。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的基板處理方法,其中,
在所述第1液膜形成工序及所述第2液膜形成工序中,從共用的處理液罐向噴出噴嘴供給所述處理液,從所述噴出噴嘴朝向所述基板的表面噴出所述處理液。
9.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的基板處理方法,其中,還包括:
藥液供給工序,在所述第1液膜形成工序開(kāi)始前向所述基板的表面供給藥液;
沖洗液供給工序,在所述藥液供給工序結(jié)束后且在所述第1液膜形成工序開(kāi)始前,向所述基板的表面供給對(duì)附著于所述基板的表面的所述藥液進(jìn)行沖洗的沖洗液;以及
第1相溶性液體供給工序,在所述沖洗液供給工序結(jié)束后且在所述第1液膜形成工序開(kāi)始前,向所述基板的表面供給對(duì)于所述沖洗液及所述處理液雙方具有相溶性的第1相溶性液體。
10.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的基板處理方法,其中,
還包括第2相溶性液體供給工序,在所述第1固體膜剝離去除工序結(jié)束后且在所述第2液膜形成工序開(kāi)始前,向所述基板的表面供給對(duì)于所述剝離液及所述處理液雙方具有相溶性的第2相溶性液體。
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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